晶体二级管alcl3是什么晶体样子的

新型线性函数光子晶体光子二极管的研究--《吉林师范大学学报(自然科学版)》2014年02期
新型线性函数光子晶体光子二极管的研究
【摘要】:本文运用费马原理和传输矩阵方法研究线性函数光子晶体,通过计算给出了光正入射和反入射时的透射特性及电场分布.研究发现:线性函数光子晶体的透射特性不同于常规光子晶体,并且能够有效的放大或衰减光的电场强度,这为设计光子放大器件和光子二极管提供了重要的理论依据.
【作者单位】:
【关键词】:
【基金】:
【分类号】:O734【正文快照】:
0引言1987年Yablonovitch和John分别独立提出光子晶体(photonic crystal)概念[1-2],它是一种折射率呈周期性排布的介电结构.光子晶体最显著的特征是存在光子带隙,也就是说光子晶体对于某些频率的光而言是“禁止”通过的,从而使其在新科技中有很大的应用价值.例如,抑制和增强
欢迎:、、)
支持CAJ、PDF文件格式,仅支持PDF格式
【参考文献】
中国期刊全文数据库
刘晓静;李娜;张斯淇;王婧;巴诺;吴坤鹏;吴向尧;郭义庆;;[J];光子学报;2012年10期
王清月;胡明列;柴路;;[J];中国激光;2006年01期
胡明列;宋有建;刘博文;方晓惠;张弛;刘华刚;刘丰;王昌雷;柴路;邢岐荣;王清月;;[J];中国激光;2009年07期
房淑芬;李集思;苏适;张汉壮;;[J];吉林大学学报(理学版);2009年01期
巴诺;王清才;刘晓静;张斯淇;王婧;高海欣;王岩;王光怀;;[J];吉林师范大学学报(自然科学版);2012年01期
倪培根;;[J];物理学报;2010年01期
王光怀;王清才;吴向尧;张斯淇;王婧;刘晓静;巴诺;高海欣;郭义庆;;[J];物理学报;2012年13期
【共引文献】
中国期刊全文数据库
李棚;张明存;叶飞;;[J];赤峰学院学报(自然科学版);2012年06期
程显中;李志鑫;朱云;刘绍宏;;[J];东北大学学报(自然科学版);2011年12期
毕卫红;金娃;付广伟;;[J];燕山大学学报;2009年03期
陈子伦;奚小明;孙桂林;徐中南;侯静;姜宗福;;[J];国防科技大学学报;2011年02期
闫昕;;[J];光谱实验室;2010年03期
宗明吉;薛冬;梁兰菊;;[J];光谱实验室;2011年03期
汤炳书;秦家千;沈廷根;;[J];光通信研究;2007年03期
徐玲玲;金龙;开桂云;张键;刘艳格;袁树忠;董孝义;;[J];光学学报;2007年09期
刘璟;郑志强;冯卓宏;黄志高;;[J];光学学报;2007年11期
王红华;薛文瑞;张文梅;;[J];光学学报;2008年01期
中国博士学位论文全文数据库
熊学辉;[D];华中科技大学;2011年
李文超;[D];河北工业大学;2011年
王小聪;[D];天津大学;2011年
徐天华;[D];天津大学;2012年
尚韬;[D];上海交通大学;2007年
刘建国;[D];南开大学;2007年
耿丹;[D];浙江大学;2008年
冀玉领;[D];燕山大学;2005年
吴铭;[D];华中科技大学;2008年
陈斌;[D];浙江大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库
王旭颖;[D];内蒙古大学;2011年
李雷;[D];电子科技大学;2011年
孙鉴;[D];东北石油大学;2011年
李大海;[D];郑州大学;2011年
张峰;[D];长春理工大学;2011年
唐志杰;[D];江西师范大学;2011年
缪路平;[D];南昌大学;2011年
谌鸿伟;[D];国防科学技术大学;2010年
黄钢;[D];燕山大学;2011年
冯亚萍;[D];宁波大学;2011年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
武继江;石邦任;孔梅;;[J];长春理工大学学报;2006年02期
王旭东,闫珂柱,刘芳;[J];光电子·激光;2003年10期
娄淑琴,王智,任国斌,简水生;[J];光学学报;2004年10期
陈慰宗,申影,忽满利,卜涛,刘军;[J];光子学报;2001年12期
尚廷义;郑义;张会云;张玉萍;姚建铨;;[J];光子学报;2007年04期
刘启能;;[J];光子学报;2007年06期
胡明列,王清月,栗岩锋,王专,倪晓昌,柴路,张志刚,章若冰,侯蓝田,李曙光,周桂耀;[J];中国激光;2004年05期
胡明列,王清月,栗岩峰,王专,柴路,邢歧荣;[J];中国激光;2004年12期
王清月;胡明列;柴路;;[J];中国激光;2006年01期
何飞;程亚;;[J];中国激光;2007年05期
【相似文献】
中国期刊全文数据库
杜晓宇;郑婉华;任刚;王科;邢名欣;陈良惠;;[J];物理学报;2008年01期
李文胜;付艳华;是度芳;;[J];激光与红外;2009年11期
苏安;李现基;;[J];激光与红外;2010年05期
刘桂强;廖昱博;陈艳;刘忠民;;[J];光子学报;2009年07期
李娇;温廷敦;;[J];硅谷;2011年15期
苑秋红;;[J];实验科学与技术;2006年S1期
邓立儿;王永生;王东栋;徐征;富鸣;何大伟;赵爱伦;陶颖镭;;[J];光谱学与光谱分析;2010年06期
罗黎平,刘念华;[J];光子学报;2005年11期
韩汝取;;[J];太原师范学院学报(自然科学版);2007年03期
林邦惜;唐吉玉;肖化;谌静;杨述东;张国芳;周福成;;[J];固体电子学研究与进展;2011年04期
中国重要会议论文全文数据库
何赛灵;;[A];面向21世纪的科技进步与社会经济发展(上册)[C];1999年
宋恺;丁涛;佟振合;;[A];中国化学会第28届学术年会第12分会场摘要集[C];2012年
梁文耀;;[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
王科;郑婉华;张冶金;任刚;杜晓宇;邢名欣;陈良惠;;[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
张慧慧;申华军;周静涛;刘新宇;;[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集(下册)[C];2009年
杜桂强;刘念华;;[A];第十一届全国量子光学学术报告会论文集[C];2004年
李志远;刘荣鹃;傅晋欣;;[A];第八届全国光学前沿问题讨论会论文集[C];2009年
严清峰;;[A];中国化学会第十二届胶体与界面化学会议论文摘要集[C];2009年
彭景翠;夏辉;翦之渐;李宏建;张振华;瞿述;周仁龙;;[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
顾忠泽;赵祥伟;朱蓉;;[A];中国化学会第二十五届学术年会论文摘要集(上册)[C];2006年
中国重要报纸全文数据库
贾正根;[N];中国电子报;2001年
陈丹;[N];科技日报;2003年
杨健;[N];人民日报;2003年
王惠杰;[N];大众科技报;2004年
刘霞;[N];科技日报;2011年
王春;[N];科技日报;2011年
中国博士学位论文全文数据库
费宏明;[D];山西大学;2009年
任琳;[D];吉林大学;2010年
吴语茂;[D];中国科学技术大学;2010年
罗丹;[D];天津大学;2010年
李胜;[D];电子科技大学;2010年
林密;[D];电子科技大学;2010年
陈海滨;[D];浙江大学;2009年
侯金;[D];华中科技大学;2011年
万勇;[D];青岛大学;2010年
亓丽梅;[D];电子科技大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库
杨春云;[D];南昌大学;2010年
张勇勇;[D];天津大学;2010年
王雷雷;[D];电子科技大学;2011年
江慧;[D];大连理工大学;2010年
赵优美;[D];山东建筑大学;2010年
张芬;[D];电子科技大学;2010年
孙静;[D];江苏大学;2010年
方博;[D];上海交通大学;2010年
张巾;[D];西安电子科技大学;2011年
张宁;[D];江苏大学;2010年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993
《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司
地址:北京清华大学 84-48信箱 知识超市公司
出版物经营许可证 新出发京批字第直0595号
同方知网数字出版技术股份有限公司
订购热线:400-819-82499
在线咨询:
传真:010-
京公网安备74号晶体二极管整流电路_百度百科
关闭特色百科用户权威合作手机百科
收藏 查看&晶体二极管整流电路本词条缺少概述、信息栏,补充相关内容使词条更完整,还能快速升级,赶紧来吧! 实际上就是一个P-N结所构成,它具有单向导电性,能使交流电变为直流电,这种作用称为整流。所谓单向导电性就是晶体二极管在正向电压作用下,二极管导通,而在反向电压作用下,二极管不导通。整流电路的种类很多,有半波整流电路、桥式全波电路等。
是一种除去半周、图下半周的整流方法。不难看出,半波整波可以说是以&牺牲&一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低(计算表明,整流得出的半波电压在整个周期内的平均值,即负载上的直流电压Usc =0.45e2 )因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。
,可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头,把次组线圈分成两个对称的绕组,从而引出大小相等但极性相反的两个电压e2a 、e2b ,构成e2a 、D1、Rfz与e2b 、D2 、Rfz ,两个通电回路。
桥式整流电路是使用最多的一种整流电路。这种电路,只要增加两只二极管口连接成&桥&式结构,便具有全波整流电路的优点,而同时在一定程度上克服了它的缺点。
新手上路我有疑问投诉建议参考资料 查看&当前位置: -
晶体二极管的参数与性能
发布时间: 新闻来源:深圳市亿威联科技有限公司 浏览次数:
二极管简介
二极管的分类
&&&&一、按半导体材料分类:
&&&&&&1.锗[&zhě&]二极管&&&&化学元素代号(Ge)
&&&&&&2.硅[&guī&]二极管&&&&化学元素代号(Si)
&&&&二、根据其封装分类:
&根据封装形式分为塑料封装(塑封)二极管、玻璃封装(玻封)二极管、金属封装二极管和片状二极管等。
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
三、根据电流容量分&
& &&根据电流容量分为大功率二极管(5A以上)、中功率二极管(1~5A)和小功率二极管(1A以下);&
&&& 大功率类:R-6封装
&&&& (10A05,10A1,10A2,10A4,104A,10A8,10A10)10A&
&&& 中功率类:DO-214AD
&&&& (IN5820&,&IN5821&,&IN5822)&电流3A
&&& 小功率类:DO-35
&&&& (IN4148&)150mA
&四、根据其用途分类:
v&检波二极管&
&&& 检波二极管作用:正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内,这就是检波.如2AP系列用于收音机。&
v&整流二极管&
&&的作用:利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。于变压器电源类产品,如插件的IN4001~IN4007和贴片的M1~M7。
v&&&稳压二极管
&&& 也称齐纳二极管,在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。稳压二极管根据其电流容量可分为大功率稳压二极管(2A以上)和小功率稳压二极管(1.5A以下)。
v&&开关二极管
& && 半导体二极管导通时相当于开关闭合(电路接通),截止时相当于开关打开(电路切断),起到开关的作用。常见的开关二极管有:BAV70,BAV99,1SS355,IN4148&,&LL4148等。&
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
& &&是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky&Barrier&Diode),它是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件,具有正向压降低0.4V、开关速度非常快,反向恢复时间很短(2-10ns纳秒)等特点.缺点是反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。肖特基二极管分为:插件(DO-41)和贴片(SOD,SOT)两种封装形式。肖特基二极管常用型号IN5817.&IN5819.&IN5818.&IN5822,HER107.HER207.HER307.FR105,SS14.SK14.SS24.SK34.SR240&等。&
v&变容二极管
v&瞬变电压抑制二极管(TVS管)
&&&&& &(TRANSIENT&VOLTAGE&SUPPRESSOR)或称简称TVS管.是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度(最高达1*10-12秒)使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。
v&发光二极管(LED)
&&&&整流二极管,稳压二极管,开关二极管,肖特基二极管目前为我公司畅销产品
&&站内搜索
&&会员中心
&&&用户名:
&&&密&&码:
&&&&&&&&&&&&&
&&您最近的浏览记录
您最近浏览过的网页记录
未找到您的最近浏览记录
&& && && && && && && && && && &&
粤ICP备号 Copyright All rights reserved.版权所有
电话:2 传真:8 邮箱:
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强三店佳和4C026 网址:第三届可穿戴产品设计技术研讨会
成都·智能医疗创新应用论坛
2015物联网技术与创新应用大会
工业应用中的小批量快速原型制作技术研讨会
一个PN结构成晶体二极管的原理
来源:不详
作者:佚名日 09:01
[导读] 一个PN结构成晶体二极管的原理
P性半导体和N型半导体----前面讲过,在纯净的半导体中加入一定类型的微量杂质,能使半导体的导电能力成百万倍的
一个PN结构成晶体二极管的原理
P性半导体和N型半导体----前面讲过,在纯净的半导体中加入一定类型的微量杂质,能使半导体的导电能力成百万倍的增加。加入了杂质的半导体可以分为两种类型:一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生大量的带负电荷的自由电子,这种半导体叫做“N型半导体”(也叫“电子型半导体”);另一种杂质加到半导体中后,会产生大量带正电荷的“空穴”,这种半导体叫“P型半导体”(也叫“空穴型半导体”)。例如,在纯净的半导体锗中,加入微量的杂质锑,就能形成N型半导体。同样,如果在纯净的锗中,加入微量的杂质铟,就形成P型半导体。一个PN结构成晶体二极管----设法把P型半导体(有大量的带正电荷的空穴)和N型半导体(有大量的带负电荷的自由电子)结合在一起,见图1所示。图1 在P型半导体的N型半导体相结合的地方,就会形成一个特殊的薄层,这个特殊的薄层就叫“PN结”。晶体二极管实际上就是由一个PN结构成的(见图1)。例如,收音机中应用的晶体二极管,其触丝(即触针)部分相当于P型半导体,N型锗片就是N型半导体,他们之间的接触面就是PN结。P端(或P端引出线)叫晶体二极管的正端(也称正极)。N端(或N端引出线)叫晶体二极管的负端(也称负极)。如果像图2那样,把正端连接电池的正极,把负端接电池的负极,这是PN结的电阻值就小到只有几百欧姆了。因此,通过PN结的电流(I=U/R)就很大。这样的连接方法(图2a)叫“正向连接”。正向连接时,晶体管二极管(或PN结)两端承受的电压叫“正向电压”;处在正向电压下,二极管(或PN结)的电阻叫“正向电阻”,在正向电压下,通过二极管(或PN结)的电流叫“正向电流”。很明显,因为晶体二极管的正向电阻很小(几百欧姆),在一定正向电压下,正向电流(I=U/R)就会很大----这表明在正向电压下,二极管(或PN结)具有像导体一样的导电本领。图2a 图2b 反过来,如果把P端接到电池的负极,N端接到电池的正极(见图2b)。这时PN结的电阻很大(大到几百千殴),电流(I=U/R)几乎不能通过二极管,或者说通过的电流很微弱。这样的连接方法叫“反向连接”。反向连接时,晶体管二极管(或PN结)两端承受的电压叫“反向电压”;处在反向电压下,二极管(或PN结)的电阻叫“反向电阻”,在反向电压下,通过二极管(或PN结)的电流叫“反向电流”。显然,因为晶体二极管的正向电阻很大(几百千欧姆),在一定的反向电压下,正向电流(I=U/R)就会很小,甚至可以忽略不计,----这表明在一定的反向电压下,二极管(或PN结)几乎不导电。上叙实验说明这样一个结论:晶体二极管(或PN结)具有单向导电特性。晶体二极管用字母“D”代表,在电路中常用图3的符号表示,即表示电流(正电荷)只能顺着箭头方向流动,而不能逆着箭头方向流动。图3是常用的晶体二极管的外形及符号。图3利用二极管的单向导电性可以用来整流(将交流电变成直流电)和检波(从高频或中频电信号取出音频信号)以及变频(如把高频变成固定的中频465千周)等。PN结的极间电容----PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容,叫做“极间电容”(如图4所示)。由于电容抗随频率的增高而减小。所以,PN结工作于高频时,高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时,极间电容对直流和低频的阻抗很大,故一般不会影响PN结的工作性能。PN结的面积越大,极间电容量越大,影响也约大,这就是面接触型二极管(如整流二极管)和低频三极管不能用于高频工作的原因。
PN相关文章
PN相关下载
晶体相关文章
晶体相关下载
二极管相关文章
二极管相关下载
技术交流、积极发言! 发表评请遵守相关规定。
近几年来,智能手机等便携终端设备受到热捧,全球2G、3G和4G LTE网络频段的呈多样性,促使无线技术走向多样化与技术迭替。...
在标准、成本、技术、消费基础等因素的制约下,被业界炒得火热的智能家居概念却在消费市场碰上了寒流。因此紧抓问题根源,对症下药,寻求突破来促...
创新实用技术专题
Copyright &
.All Rights Reserved晶体二极管的测量_中华文本库
第1页/共2页
文本预览:
晶体二极管的测量
一、 实验目的:
1、 了解常用电子仪器:示波器、函数信号发生器、直流稳 压电源等的主要特性指标、性能及正确的使用方法。 2、 3、 4、 5、 学会自己设计简单电路 掌握示波器的基本调整方法和工作模式。 了解 Multism 软件的使用,学会绘制简单的电路图。 了解晶体二极管的导电特性并测定其伏安特性曲线。
二、 实验环境
仪器:双踪示波器、函数信号发生器、数字万用表; 电子元件:电位器,二极管,电环电阻
三、 实验原理
晶体二极管的导电特性: 晶体二极管无论加上正向或反向电压,当电压小于一 定数值时只能通过很小的电流,只有电压大于一定数值 时,才有较大电流出现,相应的电压可以称为导通电压。 正向导通电压小,反向导通电压相差很大。当外加电压大 于导通电压时,电流按指数规律迅速增大,此时,欧姆定 律对二极管不成立。 另外,对二极管施加反向偏置电压时,二极管处于截 止状态,其反向电压增加至该二极管的击穿电压时,电流 猛增,二极管被击穿,在二极管使用中应竭力避免出现击 穿观察,这很容易造成二极管的永久性损坏。所以在做二
极管反向特性时,应串联接入限流电阻,以防因电流过大 而损坏二极管。
四、 实验内容
1、 设计二极管伏安特性曲线测试电路 2、 按电路图连接电路,万用表自检 3、 用万用表测量二极管的电流电压并记录 4、 连接信号观察电路、对示波器进行自检 5、 将信号发生器发出的信号接入电路,并用示波器测量、比较
五、 实验过程
1、 设计二极管伏安特性曲线测试电路
V1 4 5V R2 2.2k? , Key=A 50%
如图: 2、
按 电 路 图 连 接 电 路 ( 电 压 源 为 5V 直 流 电 压 , 电 位 器 为 2.2k ) ,并对万用表自检。连接电路时因注意二极管是否接 反,有环一端为负极,且应把电位器阻值跳到最大以免发生短 路。测试过程中电位器移动不能太大以免烧坏电位器。
连接信号观察电路、对示波器进行自检,将二极管和电阻串
联,然后输入三角函数信号(3V、1KHZ) ,将 CH1 探头接在整 个电路两端,CH2 探头接在电阻两端; 4、 调整示波器,得到波形图(如下图)并测量数据(最大值最小 值峰峰值周期) ,保存。
分析数据,制作图表,完成实验报告。
六、 数据记录与分析
1、 二极管的正向伏安特性曲线表格与图如下: 表格:
电压 (V) 电流 (uA) 0 0 0.17 0.05 0.21 0.15 0.29 1.1 0.41 7.09 0.51 441 0.55 0.6 0.63 0.65 0.68
112 00 21500
分析:0.55 测量的数据疑似有误,但为了真实可靠依然做了保 留,可能是由于人为原因造成的测量误差。 2、
第1页/共2页
寻找更多 ""}

我要回帖

更多关于 alcl3是什么晶体 的文章

更多推荐

版权声明:文章内容来源于网络,版权归原作者所有,如有侵权请点击这里与我们联系,我们将及时删除。

点击添加站长微信