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纳米线多型异质结碳化硅室温单电子晶体管研究
采用碳化硅4H/6H多型纳米线制备单电子晶体管,在室温下观察到库仑阻塞效应和负微分电阻,I-V曲线呈现典型的库仑台阶,其台阶为周期性的,这些周期性小台阶,又呈现非周期的嵌套结构.单根纳米线碳化硅由4H/6H多型交替生长构成,它们嵌合构成竹节状生长,碳化硅多型结构中4H多型晶体构成双势垒,其直径为10~80 nm,长度约50 nm.而联结4H多型的6H多型晶体部分,长度约20 nm,且直径较细(约10~35 nm),被认为是库仑孤岛.
ZHANG Hongtao
ZHAN Yunfeng
Georg Bastian
Uli Lemmer
作者单位:
湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系,武汉,430068;湖北工业大学电气与电子工程学院纳米电子技术与微系统实验室,武汉,430068
Hochschule-Rhein-Waal, Landwehr 447533 ,Kleve,Germany
Universitat Karlsruhe(TH), Lichttechnisches Institut,76131 Karlsruhe, Germany
年,卷(期):
Keywords:
机标分类号:
在线出版日期:
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影响高压锅炉管室温冲击韧性的因素
作者单位:
攀钢集团成都钢铁有限责任公司,四川 成都 610303
母体文献:
中国金属学会轧钢学会钢管学术委员会五届四次年会论文集
会议名称:
中国金属学会轧钢学会钢管学术委员会五届四次年会
会议时间:
会议地点:
主办单位:
中国金属学会
在线出版日期:
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基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器
基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT-IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管.Pspice模拟表明,信号输出与温度变化有较好的线性关系,温度响应灵敏度为4.1mV/K.
作者单位:
清华大学微电子学研究所,北京,100084
ISTICEIPKU
年,卷(期):
机标分类号:
在线出版日期:
基金项目:
国家自然科学基金,面向21世纪教育振兴行动计划(985计划)
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