iPhone6 128G和部分64G版本用的是最差的TLC闪存吗？
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SLC、MLC、TLC在寿命、速度、稳定性上的区别，被某些闪存芯片厂家和国内硬件论坛那些一知半解的「发烧友」们极度夸大了。很多数据都是实验性、参考性的，还有技术发展早期时遗留下来的。一旦进入大规模成熟商用阶段，就意味着技术缺陷和性能差距基本都已经解决了，至少实际使用起来不会什么差别。然而这些早期和实验性数据被人别有用心地拿来互相攻击，有的是厂商为了诋毁对手，有的则是用户之间互相在找廉价的优越感。几乎所有的参数问题，都会随着制程、工艺、主控等进步而得到解决。比如所有人最关心的SLC寿命长，TLC寿命短这个问题，「TLC寿命只有500~1000次」只是凭经验和一些内部算法推演出来的，根本没有经过实际验证。如果按照这种算法，256GB的SSD硬盘只要写入不到200TB就完了，但经过压力测试之后，绝大多数SSD的寿命都远超这个数字。比如，用MWI（损耗均衡计数）推算出不同SSD的理论最大写入量，然后实际测试，结果见下图：中间那个最高的是三星830（MLC芯片），容量256GB，推算出最大写入寿命是828TB，但人家寿终正寝前不眠不休地连续写入了6300多TB！右侧的三星840（TLC）在超过理论寿命数倍后仍然能正常使用，其余几块SSD也大体如此。中间那个最高的是三星830（MLC芯片），容量256GB，推算出最大写入寿命是828TB，但人家寿终正寝前不眠不休地连续写入了6300多TB！右侧的三星840（TLC）在超过理论寿命数倍后仍然能正常使用，其余几块SSD也大体如此。这个帖子发表在两年前，当时市面上MLC和SLC正打得火热，TLC刚刚暂露头角。现在嘲讽TLC的那些话，都曾经在MLC身上出现过。如今MLC早已成为市场主流，TLC也正在快速崛起，占领整个市场已经是不可逆转的趋势了。苹果为什么选用TLC？一是TLC在同样制程和容量下有更小的体积，十分适合手机；二是TLC以往的缺陷如寿命、速度、功耗等等，都随着工艺、主控等技术的改进而得到了解决，不亚于甚至超过了早期的SLC。这种情形下，拿一个闪存芯片架构找哪门子优越感呢？题外话：国内许多硬件数码论坛的气氛是我极度鄙视的：枪文横行且不说，许多人原本就对软硬件一知半解，又唯恐被别人认为无知，就拿着东拼西凑和厂家炒作的一些二手概念当真理，到处抨击嘲讽其他品牌的用户，以此获得优越感。碰到土豪就跪舔，看见真技术大牛就不明觉厉，遇到新手求助就大言不惭地指点江山，拿黑话当内行，骂低级枪文，被高级枪文牵着鼻子走，这就是所谓的硬件屌丝吧。
这种问题就应该作为造谣举报好吗！谁说的苹果用TLC了有证据就拿出数据说话行吗？？？Phone 6 Plus采用的海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片这块记忆体属于iPhone 6 Plus专属型号，所以外界对它的分析比较少。不过笔者还是在Techinsight网站上找到了它的详细数据：16nm制程，MLC存储单元。这项资料基于扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等设备的观测结果给出，可以算是相当权威了。海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片采用MLC存储单元由此我们认为，报道对iPhone 6 Plus的描述是完全失实的，其存储芯片采用的并非三层单元（TLC），而是多层单元（MLC），与iPhone 5s所采用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。然后，苹果要为了这个大面积召回iPhone 6 Plus？我读书少不要骗我……以上引用产品家文章，回头用电脑补引用链接，另外国外相关数据也有拆解和扫描的，我回头一起补了，手机实在做不了这么复杂的工作推广TLC最狠的三星前不久刚整了一次掉速门，苹果对技术的保守和可靠度的要求是出了名的，这东西可靠性根本不可能值得苹果冒这么大风险去使用。这造谣完全站不住脚啊。好吧，好像新闻已经辟谣了。
闪存最开始的制式是SLC，只记录一位（bit）的电平，比如0V就代表0， 5V就代表1，这是最稳定的，相当于你在高速路上开车，每个路口都只有两个方向，无需太多选择，但是这样的话每个单元只能记录一个bit的信息，太浪费，所以早期的MP3播放器贵就是因为闪存贵，比主控都贵！到后来，技术的发展，厂家开始生产MLC，每个单元能记录2位的信息（2bit），也就是4个电平，原来的5V要被分成4份来对应不同的信息，MLC逐渐取代SLC，这样一直挺到10年左右，那时候MLC的技术已经十分成熟了，而且随着闪存制式的推进，也越来越廉价，但是，商人的本质就是为了更多的利润，于是，以三星、东芝为代表的厂家开始研究TLC，也就是每个单元记录8个电平！初期推出的产品简直是灾难性，由于每单位记录八个电平，写入速度大大降低，这很好理解，因为对电平重置的过程比SLC复杂太多，而且电平之间的间隔太小，出错纠错过程漫长，而且一系列擦写过程会造成不可逆的物理损伤，当时一度流行于华强北的黑作坊，没啥的，就是便宜，充斥于山寨mp3和黑U盘里，那些贪图便宜的人叫苦不迭，因为实在是太不成熟，从理论上来讲就很坑爹。技术是进步的，局面慢慢的转变，到11年的时候，TLC开始大量铺货，金士顿和国产台电为代表的存储厂家已经开始在中低端全面使用TLC，具体表现为，写入速度极低，而且用久了会掉速，也就是那时候，金士顿开始有了黑心厂家之说，而且金士顿之流的技术之粗糙不忍直视，TLC在2012年已经足够成熟了，但是金士顿为了省钱，从主控到晶圆全部是渣货，你想想，U盘里重要资料突然有一天打不开，而且乱码，那就纯杯具了，据我所知，现在还有厂家生产MLC 盘，但是价格略贵，我个人是在淘宝上买了个主控盘，再淘了两个8g的slc flash，自己焊了一个U盘，（淘宝有风险，下单需谨慎）写入贼快，3.0速度轻松达到150m/s写入，最重要的是，终于不用担心数据丢失了。再说回来，TLC虽然已经成熟，相对于自身缺陷来说，读取的话和SLC没任何区别，只是写入太坑爹，大概只能是MLC的一半，接下来是重头大戏，三星推出了著名的840EVO系列固态硬盘，绝对是牛逼！通过自己牛逼的主控+牛逼的硬件设计，成功的将TLC用于固态硬盘，而且返修率极低，这说明 TLC的确是代表着未来。你想想，原本一个单元只能记录1bit，现在可以记录3bit，这就是科技的发展在11年以前，手机厂商都老老实实的用MLC，但是坑爹了，这时候TLC内存卡开始全面进击了，便宜又容量大，首当其冲的便是安卓手机，为了显示自己“大方”，很多手机厂商开放了外接存储卡，殊不知那些消费者插的都是tlc内存卡啊啊啊，安卓的卡顿功劳，TLC绝对有很大一份，数据莫名丢失，应用打开迟滞，尤其是拍照这种快写入的操作，直接会导致死机！！！这也是谷歌一直不倡导的开放存储接口的做法，不是黑心，是为了你们好，如今某米64g对比16g已经是良心价了，某锤32g只比16g多出100元，苹果为什么不开放存储接口，这是很大的原因。2012年，很多手机厂商都没了节操，包括三星，呸！居然始作俑者开始在旗舰机上用TLC，what‘s the fuck！！！三星字库门是什么原因，三星手机卡顿是什么原因！！！三星手机打开重启是什么原因！！！TLC商用到手机还有一段距离，就为了省掉那几块钱，三星开始丧心病狂的使用TLC！！！一直到note3才有所收敛，山寨机就不说了，大部分用的是TLC的emmc，4g rom，一想到整个操作系统活在这么憋屈的闪存上，我就提心吊胆。为什么苹果会用到TLC，这是一个很值得深思的问题，闪存芯片通常封装无比巨大，直逼CPU，早期制程落后的时候，iphone的拆机里，最大的芯片就是闪存，去年某族上马128gb版本，结果发现封装比一般的闪存要大，据说改了内部设计才勉强塞进去，ipad空间大，留了两个焊盘，16g短缺，苹果就用两个8g，现在制程进步了，32g最成熟，于是64g的版本就用两个32g，但是128g呢，iphone可能只留了一个焊盘，就算留了两个焊盘，2个64gb，那成本苹果多心疼啊，于是一咬牙一跺脚，含泪上了TLC，最不差钱的那些用户彻底坑爹了，哈哈哈你造三星是怎么解决TLC固态硬盘的吗，三星用价值不菲的内存条来做缓存，对于零碎文件来说，写入速度丝毫不亚于MLC，可以假装写得很快，但是一到连续写入就暴露了，这也是三星最聪明的地方，用户的日常操作大多是零碎写入和读取，读取的话，TLC没有缺陷，哈哈哈苹果这个硬件缺陷，应该可以通过修改flash主控算法来实现，到时候可以对比一下，128gb的和其他版本的固件可能不同
蛤蛤，我厂就是水果内存的供应商之一，确实用了TLC。TLC技术成熟度大家不用担心，水果这一代用的是19nm/1Ynm制程，下一代的15nm/1Znm的TLC都出来了好么。按照研究一代，开发一代，量产一代的节奏，水果上的TLC已经算倒数第三代芯片技术，您说能不成熟么？性能上其实也不用过多担心，我们有图显示在单个文件500m以下的读写速度H家MLC vs T家MLC vs S家TLC没有明显区别。说到TLC的寿命问题和速度问题，我们可以从最基础的存储单元结构来说。这主要看的是芯片制程和固件驱动方式。2D nand上制程越先进，cell的间距越小，单个cell里面的电子越少。以下做一个比喻 如果把闪存读写比作一个电动机做功，要增大功率，可以增加转子数，或者增加电流大小。 如果把闪存读写比作一个电动机做功，要增大功率，可以增加转子数，或者增加电流大小。下面来看闪存结构闪存的读写是信号通过固件对控制栅极的电压进行操作，而改变浮置栅极内的电压到达5V，固件就能读取原来该单元中存储的是0或是1了。闪存的读写是信号通过固件对控制栅极的电压进行操作，而改变浮置栅极内的电压到达5V，固件就能读取原来该单元中存储的是0或是1了。回忆一下刚才的比喻，其中转子数对应的是cell里面电子数，电流大小对应的是固件驱动的控制栅极的电压。读写的过程就像电动机从静止开始启动的过程，duang的一下固件把电压加上去了，cell里面的电子们xiu xiu xiu地跑到该到的地方，浮置栅极5V接近，浮置栅极5V达到，cell 启动，读取start！回到寿命与速度的主题。速度来说，电子多了，达到5V的速度越快。而且固件可以把电压加得狂野一点，一脚油门到底，跟某厂SSD的鸡血固件一样，据说TLC跑出了SLC的速度。寿命来说，电动机电流大了转子容易折，闪存也是一样道理，驱动电压大了，电子就飚嘛，制程做到19nm的间距，拘束电子的能力和噪音屏蔽的能力必然会被牺牲掉一部分。所以大力之下，电子易流失易蒸发。本来电子数就不多，TLC(3个电压level)对电子流失蒸发比MLC(2个电压level)敏感，那么反复擦写之下，敏感的TLC酱会渐渐不行的哟。TLC酱寿命较短的道理就是这样。顺带一提，Toshiba和sandisk 的3D NAND的单cell 电子数得到了质的飞跃，是原来的大概50倍，所以我们可以期待更狂野的固件，和更耐操的3D酱，以及QLC（4个电压level，就是4个bit）.P.S 有人画闪存娘拟人嘛？电子数就是乳量，速度就是腿长，大胸长腿的3D大姐姐棒棒哒
因为tlc在同【物理体积和制程】下可以提供更高的储存空间。换句话说iPhone那么紧凑很可能装不下128GB的多颗MLC。。。当然咯，还有更低的成本。TLC本身还不是非常成熟，
老师有些过于乐观了。EVO的前车之鉴不还摆在那么……固件为了降低写入导致对数据的挪移不够频繁，因此造成老文件的读取速度剧降。理论最大寿命短只是你不选择TLC的一个原因而已，更多的担忧实际上来自于人们对TLC的掌控还不够好。工艺成熟了谁不买便宜的啊。。。还有一点，通常固态硬盘的寿命会比移动设备里的闪存更长。因为固态硬盘有着更好的固件、比较充足的缓存区。这些是同等大小的移动设备闪存所不能及的。谁买个SSD准备用五十年啊……与其说是寿命担忧、倒不如说是担心数据本身是否安全。就跟iP6P现在的状况一样，出问题了就是出问题了，如果你用MLC不会出问题。目前MLC足够成熟而TLC不够成熟，就是这样。过一年两年说不定TLC也成熟了，但现在还不够。
鉴别自己的iPhone 6是否使用TLC芯片"default-bits-per-cell"=3代表是TLC首先TLC在SSD上表现良好并不代表在iPhone上就可以，因为它们有几点不同：用TLC的SSD很多都有一块小容量SLC做缓存；手机的电池无法提供静态均衡磨损；SSD用的主控芯片都快跟你SoC一样大了；SSD是多通道的。不过苹果用TLC也不是简单地为了省成本，通过查询了不少资料，64GB似乎用的也是MLC128GB的东芝的这个是MLC还是TLC还没有明确标示不过，Hynix的同系列芯片也有128GB（1024Gb）的，但是改了封装（可能是因为堆叠了16层MLC的原因），应该用不成不过，Hynix的同系列芯片也有128GB（1024Gb）的，但是改了封装（可能是因为堆叠了16层MLC的原因），应该用不成东芝的MLC eMMC 128GB 还未开始生产(128GB x Stack 8 =128GB）(128GB x Stack 8 =128GB）考虑到MLC的体积比TLC要大，我觉得现阶段128GB用TLC的可能性很大。综上所述，我觉得不能说苹果不厚道这么贵的手机还用TLC，而是现在的技术条件下，128GB的容量放在有限的空间里只能用TLC，因此我猜测128GB存在的问题可能是由于：TLC和MLC的控制器在硬件和软件商存在不同导致的一些差异，需要固件上做出调整；TLC的4K读写性能稍差，需要做出相应的优化。
我2年半前买的三星840就是你们说的这个TLC的，刚买买的时候我看了好多关于寿命的资料。现在用的好好的。我觉得自己那个时候真是闲的蛋疼。
其他回答中一堆人說已經辟謠了的，可以放個辟謠新聞的連接嗎？搜不到。
根据目前公布的拆解图来看，iPhone 6 全线产品使用的都是来自海力士的 H2JTDG8UD1BMS nand闪存，鄙人不懂闪存编码的意思，google了一下，得知是MLC的闪存。所以，基本上应该是谣言
用户只关心为什么同样的钱，买到的东西有性能上的差异，不觉得这不公平吗，难道我花钱买东西还要拼人品
报道中提到了出现故障的128G ip6p有装了500~1k个应用。我想起了有说法是ssd容量近乎装满后连续擦写有掉速的事情，好像会更容易导致寿命降低。会不会和这个有关。（不过按理说也没有这么容易出问题
我用的是MLC 6+ 朋友用的128G的6 在原始状态下 开机速度都TM不一样. MLC开机速度明显比TLC的要快.
你说花最多的钱买的产品 体验低于低一级的版本 这是哪门子事?苹果这事不解释 是因为他没有办法解释
如果技术不成熟 为何不暂缓 先不要做这个128G版本?
tlc相比slc mlc..可以做出更大的存儲空間
我用的就是iPhone6 128G，国行。用了评论里的工具测了一下，就是TLC，东芝的。而且我的手机是8月16左右产的，差不多算首批。当然，对于TLC差不差我不懂，我也不去纠结，反正用着没啥不好。
看看这个消息，但是也不知道消息本身是否可靠。其实，大可不必纠结于此。
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　　闪迪和东芝宣布开发出了世界第一款48层3D NAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB。目前，闪迪方面已经开始试产&256Gbit X3&芯片，而东芝预计将于2015年9月开始供应样片。据悉，该芯片采用了15纳米工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且，因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小，非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。
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　　目前，闪迪和东芝是苹果iPhone6、iPhone6 Plus的主要闪存芯片供应商，而且，据消息透露，两家厂商已经基本完成了向下一代苹果iPhone6s、iPhone6s Plus第一阶段的供货任务。也就是说，明年iPhone7很可能会搭载上述两家厂商的新型3D NAND闪存芯片，这将让iPhone7在储存能力、数据传输速度上获得飞跃。
　　不过即将到来的iPhone6S最低内存版本可能还是16GB，因此如果资金允许的话，最好还是选择购买64GB的版本。
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