m0to g(2)4g l t e是否支持联通4g卡_百度知道
m0to g(2)4g l t e是否支持联通4g卡
这个两个版本都支持中国联通的4G网络moto G有两个手机版本摩托罗拉Moto G LTE（XT1079/双4G）
摩托罗拉Moto G LTE（XT1077&#47，使用联通4G卡没有任何问题，可以放心使用
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出门在外也不愁NTDV20N06LT4G现货库存、热门库存，NTDV20N06LT4G资料详细参数、NTDV20N06LT4GPDF下载,功率MOSFET 20安培， 60伏逻辑电平， NA ????频道DPAK -
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NTD20N06L ， NTDV20N06L功率MOSFET20安培， 60伏逻辑电平， N沟道DPAK在专为低电压，高速开关应用电源，转换器和功率电机控制和桥电路。特点V（ BR ） DSS60 VRDS （ ON）典型值39 mW@5.0 VID最大20 A（注1 ）oAEC Q101标准-NTDV20N06Lo这些器件是无铅和符合RoHS标准典型应用N沟道Doooo电源转换器电源电机控制桥电路等级符号VDSSVDGRVGSVGSIDID价值6060&15&20201060600.401.881.36-55to+175128ADCAPKWW / ℃，WW°CmJ1RQJCRqJARqJATL2.580110260° C / W4单位VDCVDCVDCGS最大额定值(TJ= 25 ° C除非另有说明）漏极至源极电压漏极至栅极电压（RGS= 10毫瓦）栅极 - 源极电压-连续-不重复（Tpv10女士）漏电流-连续@ TA= 25°C-连续@ TA= 100°C-单脉冲（Tpv10女士）标记DIAGRAMS＆放大器;引脚分配4漏YWW20N6LG4漏DPAKCASE 369D（直引线）方式2231 2 3门漏源YWW20N6LG41 2DPAKCASE 369C（表面贴装）方式2IDMPD3总功率耗散@ TA= 25°C减免上述25℃总功率耗散@ TA= 25 ° C（注1 ）总功率耗散@ TA= 25 ° C（注2 ）工作和存储温度范围单脉冲Drain - to-Source雪崩能源-起始物为J= 25°C(VDD= 25伏，VGS= 5.0伏，L = 1.0 mH的，我L（PK ）= 16 A，VDS= 60 VDC ）热阻-结到外壳-结到环境（注1 ）-结到环境（注2 ）最大无铅焊接温度的目的，在1/8的情况下，从10秒213漏门来源TJ, T英镑EAS°C强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。1.当表面安装用1焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板2).2.表面安装使用推荐的焊盘尺寸的FR4板，在（铜面积0.4122).YWW20N6LG=年=工作周=器件代码= Pb-Free包装订购信息请参阅包装详细的订购和发货信息尺寸部分本数据手册的第2页。(C)半导体元件工业有限责任公司， 20112011年10月-第3版1出版订单号：NTD20N06L/D
NTD20N06L ， NTDV20N06L电气特性(TJ= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性漏极至源极击穿电压（注3 ）(VGS= 0伏，我D= 250MADC ）温度系数（正）零栅极电压漏极电流(VDS= 60 VDC ，VGS= 0伏）(VDS= 60 VDC ，VGS= 0伏，TJ= 150°C)门体漏电流（ⅤGS=±15 VDC ，VDS= 0伏）基本特征（注3）栅极阈值电压（注3 ）(VDS= VGS, ID= 250MADC ）阈值温度系数（负）静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）(VGS= 5.0伏，我D= 10 ADC）静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）(VGS= 5.0伏，我D= 20 ADC）(VGS= 5.0伏，我D= 10位ADC ，TJ= 150°C)正向跨导（注3 ）（VDS= 4.0伏，我D= 10 ADC）动态特性输入电容输出电容传输电容导通延迟时间上升时间关断延迟时间下降时间栅极电荷(VDS= 48伏直流，我D= 20的ADC ，VGS= 5.0伏） （注3）(VDD= 30伏直流电，我D= 20的ADC ，VGS= 5.0伏，RG= 9.1W)（注3）(VDS= 25伏，VGS= 0伏，F = 1.0兆赫）C国际空间站COSSCRSStD（上）trtD（关闭）tfQTQ1Q2VSDtrrtatbQRR----------------707224729.698256216.65.58.50.970.854230120.066990320105202005012032--1.2-----mCVDCnsnCnspFVGS （ TH）1.0-----1.64.6390.810.7217.52.0-481.66--VDC毫伏/°C的mWVDCV（ BR ） DSS60----71.371.2-----1.010±100VDC毫伏/°C的MADC符号民典型值最大单位IDSSIGSSNADCRDS （ ON）VDS （ ON）gFS姆欧开关特性（注4 ）源极 - 漏极二极管的特性在正向电压反向恢复时间(IS= 20 ADC ，VGS= 0伏） （注3）(IS= 20 ADC ，VGS= 0伏，TJ= 150°C)(IS= 20 ADC ，VGS= 0伏，dIS/ DT = 100 A / MS）（注3 ）反向恢复电荷存储3.脉冲测试：脉冲宽度≤300女士，占空比≤2%.4.开关的特点是独立的工作结点温度。订购信息设备NTD20N06LGNTD20N06L-1GNTD20N06LT4GNTDV20N06LT4G包DPAK（无铅）DPAK （直引线）（无铅）DPAK（无铅）DPAK（无铅）航运+75单位/铁75单位/铁2500 /磁带&卷轴2500 /磁带&卷轴+有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规范手册， BRD8011 / D 。2
NTD20N06L ， NTDV20N06L40ID，漏极电流（ AMPS ）40VDS≥10 V5V6V4V203.5 VID，漏极电流（ AMPS ）4.5 V30VGS= 10 V8V3020TJ= 25°CTJ= 100°C01.62.4TJ=-55°C3.244.85.610103V0012345VDS，漏极至源极电压（伏）VGS，栅极至源极电压（伏）图1.区域特征RDS （ ON），漏源电阻（ W）0.0850.0750.0650.0550.0450.0350.0250.015010TJ=-55°CTJ= 25°CTJ= 100°CRDS （ ON），漏源电阻（ W）0.0850.0750.0650.0550.0450.0350.0250.0150图2.传输特性VGS= 5 VVGS= 10 VTJ= 100°CTJ= 25°CTJ=-55°C10203040203040ID，漏极电流（ AMPS ）ID，漏极电流（ AMPS ）图3.导通电阻与栅极 - 源极电压RDS （ ON），漏极 - 源极电阻（归一化）21.81.61.41.210.80.6-50 -25025507510012515017510ID= 10 AVGS= 5 V10000图4.导通电阻与漏电流与栅极电压VGS= 0 VTJ= 150°CIDSS，漏电（ NA）1000100TJ= 100°C0102030405060TJ，结温（ ° C）VDS，漏极至源极电压（伏）图5.导通电阻变化与温度图6.漏 - 源极漏电流与电压3
NTD20N06L ， NTDV20N06L功率MOSFET开关交换行为是最容易建模和预测由认识到功率MOSFET是充电控制。各种开关间隔的长度（申）由如何快速FET输入电容可确定从发电机通过电流进行充电。已发布的电容数据是难以用于计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容变化很大随施加电压。因此，门电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计平均输入电流（IG（ AV ））可以由一个作驱动电路，使得基本的分析T = Q / IG（ AV ）在上升和下降时间间隔切换时，阻性负载，VGS实际上保持恒定的水平被誉为高原电压，VSGP。因此，上升和下降时间可近似由下：tr= Q2个RG/(VGG-V普遍优惠制)tf= Q2个RG/V普遍优惠制哪里VGG=栅极驱动电压，其中从0变到VGGRG=栅极驱动电阻和Q2和V普遍优惠制从栅极电荷曲线读取。在导通和关断延迟时间，栅极电流是不是恒定的。最简单的计算使用合适的在一个标准方程用于从所述电容值曲线电压的变化的RC网络。该方程为：tD（上）= RGC国际空间站在[VGG/(VGG-V普遍优惠制)]tD（关闭）= RGC国际空间站在（VGG/V普遍优惠制)24002000C，电容（pF ）C国际空间站1600120080040001050510的电容（C国际空间站）从电容曲线上读出在对应于关断状态的条件时的电压计算牛逼D（上）和读出在对应于一个电压导通状态时，计算吨D（关闭）.在高开关速度，寄生电路元件复杂的分析。 MOSFET的电感源引，内包装，在电路布线这是通用的漏极和栅极的电流路径，产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是漏极电流的函数，在数学溶液复杂的。 MOSFET的输出电容也复杂的数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极电阻，有效地增加了所述驱动源的电阻，但内阻难以测量，因此，没有被指定。电阻开关时间变化与门电阻（图9）显示了如何典型开关性能由寄生电路元件的影响。如果寄生效应不存在时，曲线的斜率将保持统一的值，而不管开关速度。用于获得所述数据的电路被构造以最小化在漏极和栅极电路环路共同电感和被认为是很容易达到的板装组件。大多数电力电子负载是感性的;该图中的数据是使用电阻性负载，其近似的最佳冷落感性负载。动力的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;然而，不压井作业减少了开关损耗。VDS= 0 VVGS= 0 VTJ= 25°CCRSSC国际空间站COSS2025CRSSVGSVDS15栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）图7.电容变化4
NTD20N06L ， NTDV20N06LVGS ，栅极至源极电压（伏）6543210ID= 20 ATJ= 25°C0481216QG，总栅极电荷（ NC）201110RG，栅极电阻（欧姆）100Q1QTQ2VGS1001000VDS= 30 VID= 20 AVGS= 5 VT， TIME （ NS ）trtftD（关闭）10tD（上）图8.栅极至源极和漏极 - 源电压与总充电图9.电阻开关时间变化与栅极电阻漏极至源极二极管特性20IS ，源电流（安培）1612840VGS= 0 VTJ= 25°C0.60.680.760.840.921VSD，源极到漏极电压（伏）图10.二极管的正向电压与电流安全工作区正向偏置安全工作区曲线定义的最大同时漏极 - 源极电压和漏电流的晶体管可以处理安全时，它是正向偏置。曲线是基于最大峰值结温度和壳体温度（TC） 25℃ 。重复峰值脉冲功率限制使用确定在与程序一起使用时的热响应数据在AN569讨论， “瞬态热阻-一般数据和它的使用。 “关断状态，导通状态可能会之间的切换遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流(IDM），也不额定电压（VDSS）的上限和过渡时间（tr,tf）不超过10女士。此外，该总功率平均一个完整的开关周期不得超过（TJ（下最大）-TC)/(RQJC).指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用与松开感性负载的开关电路。为可靠的操作，所存储的能量从电路电感耗散在晶体管，而在雪崩必须小于超过额定界限和调节操作条件从这些规定不同。虽然行业惯例是以速度在能源方面，雪崩能量能力不一个常数。能量等级降低非线性地与峰值电流的增加，雪崩和峰值结温度。虽然许多E-场效应管能承受的压力漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲电流（IDM） ，能量等级在额定指定连续电流（ID） ，按照行业惯例。能量等级必须降低温度，如图在所附的图中（图12） 。在最大能量低于额定连续电流我D可以安全地假定为等于指定的值。5
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（询价技巧：选中型号前面的多选框，可以同时向多家询价。） &华为畅享五移动版后盖上4G LTE是什么意思_百度知道
华为畅享五移动版后盖上4G LTE是什么意思
别人的华为畅享5移动版在手机空间里的标示是
华为畅享5我的却是英文tit&-TI00
我有更好的答案
l t e是移动4G的标志。手机空间里面的，标示是可以改的。
直接点说就是定制机～～人家的是公开版～～
4G LTE是移动4G的标志。
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