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书上写的是读/写啊但是题目里選正确的答案却选了只读是正确的。题目如下选正确的：a。虚拟非易失性存储器有技术提高了计算机的速度b若主存由两部分组成，容量分别为2^n和2^m则主存地址共... 书上写的是读/写啊，但是题目里选正确的答案却选了只读是正确的
b若主存由两部分组成，容量分别为2^n和2^m则主存地址共需要n+m位
c。闪速非易失性存储器有是一种高密度、非易失性的只读半导体非噫失性存储器有
d存取时间是指连续两次读操作所需间隔最小时间
存储周期是连续进行读和写操作所允许的朂短时间
但是书上只写了连续读，求解释
a。虚拟非易失性存储器有技术提高了计算機的速度
b若主存由两部分组成，容量分别为2^n和2^m则主存地址共需要n+m位
c。闪速非易失性存储器有是一种高密度、非易失性的只读半导体非噫失性存储器有
d存取时间是指连续两次读操作所需间隔最小时间
我知道ad错在哪，求大佬解释bc
存储周期是连续进行读和写操作所允许的朂短时间
但是书上只写了连续读，求解释
c、过去的闪存 EPROM 确实是只读的，要写
由于技术的进步现代的闪存已经可以快速进行读写了。
请問后面那题呢
书上的 存储周期：连续启动两次读操作所需时间间隔的最小时间
但是有个题目的答案是 连续进行读和写操作所允许的最短時间
所以是读写都可以吗
存取周期应该是指读写的时间间隔。
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