各位大神们,求助啊,我用的三星 nandnand型flash的R/B输出有问

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各位大神们!求助啊,我用的三星nand型flash的R/B输出有问
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各位大神们,指导一下吧。
我用FPGA控制一个三星的nand型flash:K9GAG08U0E。
初始状态,我用FPGA给flash的管脚进行配置(FPGA的IO端口是3.3V的)。
CE:0;& & WP:1& &ALE:0& &CLE:0& & WE:1& &&&RE:1& &&&这些引脚对于flash来说,都是输入引脚吧。
然后,我用示波器测量flash R/B的状态,发现一直都是低电平。
开始我以为是WP的电平给的不对,我就尝试了一下给低电平,别的不变, flash R/B的状态还是低电平。
因为程序里,我要判读RB的状态,根据时序图来说,低电平时,我就应该等待,可以,发现我怎么初始化配置,RB都是低电平。这个结果不太对吧?我在不进行什么操作的时候,RB应该是高电平吧?
说明:FLASH的各个引脚直接与FPGA相连的。我用的是ALTERA的EP3C5E144C8N
& && && & R/B引脚,对于flash来说,是输出口,所以我给FPGA配的是input,
& && && & CE,WP,ALE,CLE,WE,RE对于flash来说,是输入口,所以我给FPGA配的是output,
& && && & IO对于flash来说,是双向的端口,所以,我给FPGA配置的是bidri.
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今天下午我又测试了一下,不管管脚怎么配置,这个R/B#都是低电平。无语了,求大侠们帮忙出出招!!!
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F2_nwp外接电阻要拉高的。
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本帖最后由 巴布豆尔 于
14:14 编辑
这个引脚我没有配上拉电阻,但是,给的也是高电平。FPGA的驱动能力,控制这个引脚,应该是没有问题的吧?不过,还是要感谢4楼的大侠。
问题仍未解决啊
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R/B pin是open drain类型,加一个100K上拉电阻。
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我看他们有的人用的一个系列的这个FLASH,R/B上面是也加了一个上拉,我向他们请教的时候,他们说这个上拉加不加都可以,加这个上拉,是为了增加稳定性。之后我也试了一下我的板子,加了上拉电阻,但是,结果还是不对啊。悲催啊~~~~
有没有哪位大侠能指导指导的?
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至少我没有发现什么问题。我在二楼还附上了我的flash那块的原理图。另外,1楼说明的也很详细啊!
求求我我吧,阿门!!!
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你的FPGA给NAND发read id,read等时序看看。
头像由本人在自己实现的红外触摸设备上用手指绘制。
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目前都还没有到那一步呢。看的时序图,在操作过程中,R/B会输出flash的状态,但是,我测得这个引脚始终为低。所以,也不可能有什么有效的操作啊!
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本帖最后由 巴布豆尔 于
21:42 编辑
今天,我又看了一下data sheet,关于这个引脚,是这么描述的:
& && && & 要是不看最后的 RP value guidance,我还明白点,但是,看完RP value guidance,我就糊涂了。很据他的代数式来看,Rp最大也就是400,但是,等式左边来了个(min),我觉得这有些矛盾啊,是不是这个IL(西格玛),还能有个负值??
& && && &另外,根据中间那个图来说,上拉电阻,给个1K~4K之间都可以,连参数都画出来了。
& && && &我现在糊涂了,这个上拉电阻到底给多少合适啊???谁能告诉我这个上拉电阻应该怎么计算。
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本帖最后由 aguijie 于
22:34 编辑
测试:找一块空板,不焊FLASH和FPGA,测R/B对地是否短路。
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恩,周一测试一下。
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