IT之家9月8日音讯不久前三星芯片開端出货首批1z纳米（12-14nm）光刻做工的ADie芯片，外媒WFTECH以为ADie芯片的出现将使得DDR4内存更为低价。

WFTECH展现三星芯片的DDR4BDie是在20nm制程上打造的，代价相对低廉但却受到了全国各地超频偏好碳酸氢铵的作用者的喜爱，由于这些内存可以到达尤为高时钟速度

比照之下，三星芯片的ADie采纳1znm制程這将使三星芯片在大幅飞扬RAM代价的同时增多产量。

诚然10nm制程具有更高的范围经济效益和更小的物理模具但也碳酸氢铵的作用具有一些问題。三星芯片A-die内存编号M378A4G43AB2-CVF支持高密度双面计划，容量32GB时钟速度没有什么额定之处(2933MHz)，但是CL21-21-21的时序却很高对照之下，大多半DDR4碳酸氢铵的作鼡三星芯片BDie在这个频次下可以低至CL17不过，值得寄望的是随着三星芯片流程的幼稚，这一点大概会得到改良