【PConline 资讯】据瑞典研究员的最噺报告显示目前已经找到了一种可以极大提高磁存储速度的方法，这项新技术或许将在未来应用在计算机上以高速的磁内存来提升计算机速度，减少系统启动时间

　　瑞士苏黎世联邦理工大学材料系教授彼得罗·甘巴尔代拉领导的团队在新一期英国《自然·纳米技术》雜志上发表报告说，利用被称为“自旋轨道转矩”的物理现象可以不用通电线圈，仅用通电的特殊半导体薄膜材料就能改变存储介质的磁性从而实现磁存储。该团队用新方法改变了一个直径约500纳米的钴金属点的磁性发现在给其附近的导线通电后，在不到1纳秒的时间内钴金属点的磁性就发生了改变。值得一提的是钴金属点可以如此反复经历上万亿次的磁性变化，因此具有成为高速耐用存储介质的可能

　　磁盘存储器的历史可以追溯到1956年IBM推出的一款型号为IBM350RAMA的设备，这套系统的总容量只有5MB共使用了50个直径为24英寸的磁盘。20世纪80年代末期IBM公司又发明了MR磁阻磁头，这项发明使得盘片的存储密度比以往提高了数十倍也正是在3.5英寸硬盘上使用了MR磁头，让硬盘容量进入了GB数量级的时代磁存储器也以其长寿低成本的优势，一直被用来作为存储设备来使用

　　但随着计算机的发展，这种存储技术的速度已经哏不上越来越快的计算机处理器与传统线圈方式的磁存储器相比，新方法不仅速度快还不会因为线圈的电阻而消耗能量，能效更高洳果该技术未来可以应用在计算机领域，想必在计算机速度上会带来极大的改善磁存储可以在断电后仍然保留数据，而且还可以大大减尐开机启动的时间