功率半导体开关通常在用于电路設计时能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势在各种电路保护应用中，器件需要连续传送电流較低的传导态损耗有利于使系统保持较高的效率，并将产生的废热降至最低如果在这些应用中需要放心地使用这些功率开关，必须满足各种类型的耐用性标准

在本文中，我们将讨论最先进的低阻抗功率半导体开关介绍其关键特性和应用优势。这些开是由UnitedSiC开发采用堆疊式共源共栅（cascode）技术，其中将一个特殊设计阻抗低于1mΩ的硅低压MOSFET堆叠在一个阻抗低于10mΩ的650～1200V常开型碳化硅（SiC） JFET之上。所形成的复合器件被称为SiC FET可以像标准硅器件一样进行驱动，但是与硅IGBT、硅MOSFET和SiC MOSFET相比具有许多优势。

什么是堆叠式共源共栅

与包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在内的其他可鼡功率晶体管相比，常开型SiC JFET的单位芯片面积具有更低的导通阻抗如图1a所示，当低压MOSFET堆叠在JFET上时为了实现图1b的共源共栅架构，就形成了低阻抗常关断型开关称为堆叠式共源共栅，其阻抗是低压MOSFET和SiC JFET阻抗之和根据所选择的MOSFET和JFET的不同，其阻抗可能比JFET阻抗高5～20％

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