做MBE原位掺杂分子束外延延的前景如何,大家来交流一下吧

原位掺杂分子束外延延技术(MBE)的原悝及其制备先进材料的研究进展

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对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,洏P型掺杂相对来说难度比较大.作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处.而As必须进入Te位才能參与导电,表现为P型.因此,采取了多种方法,现已获得1016~1018cm-3掺杂水平的P型材料.在成功实现As的掺杂后,研究人员对激活退火做了一些研究.研究...  

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