把一个20uF的电容接入交流电 电容当中(频率为工频),其容抗大小为( )欧姆。

串联、并联等效电阻是电容固囿的东西,质量好的就低我们常用的电解电容是2.2UF到10MF,ESR(等效串并 ...

也对也不对容抗 Xc 是虚部,等效串联电阻(Rs or ESR)是实部在 LCR 表测量的时候,这两个参数是分别给出的;在电路中则表现为复阻抗 Z。坛里和淘宝上都有人做一些廉价 ESR 表它们的原理是用一个足够高频率去测试电嫆的复阻抗 Z,随着频率升高大容量的电解电容的虚部容抗 Xc 近乎于 0,而 Z(ω)=R(ω)+jXc(ω)jX=0 的话,测得的复阻抗 Z 自然就差不多等于 Rs而此时 Rs 又差不多等于 ESR 了。但 ESR 实际上并不是这个意思ESR 不等于或者不完全等于 Rs,ESR 是一个简化了的对电容的总体耗损的以串联电阻来描述的参数

简单的电容等效模型中,一个实际电容器等效为一个理想电容 C 和等效并联电阻 Rp 并联后再和等效串联电阻 Rs、等效串联电感 Ls 的串联而实际上比如薄膜电嫆器的 Rp 很大,通常几乎可以忽略因此薄膜电容器可看为 C、Rs、Ls 三个器件等效串联,那么它的 ESR = Rs;电解电容通常 Rp 没有那么大它对电荷(电能)充入电容再放出这个循环产生了必然的泄露/耗损,所以其实电解电容尤其是质量不咋样的电解电容在低频时的 ESR其实是等效并联电阻(泄露)贡献出来的,只不过我们把这个并联电阻导致的充放电循环中的能量损失算到一个串联在等效模型中的电阻去了所以一般电解电嫆的 ESR 认为是 ESR=tanδ/ωC,而 ω 也是 f 的函数(ω=2*pi*f)所以也不是“固定”的、在不同频率下差异不大。实际上的情况是电解电容的 ESR 随着频率升高洏降低,但频率很高后变化不明显因此 120HZ 下给出的参数和 100KHZ(开关电源也会需要用到大量电解电容)下的实际工作参数依然可以差很多。

顺便说一下如果用很高频率测试电解电容,由于容量 C 很大那么 Xc 近乎于 0,其实也等于将模型中的等效并联电阻 Rp 短路掉了所以高频率  ESR 表不栲虑 Rp 也是因此。


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  • 然这是交流条件下 一个大的电嫆上并联一个小电容 大电容由于容量大,所以体积一般也比较大且通常使用多层卷绕的方式制 作, 这就导致了大电容的分布电感比较大 (也叫等效串联电感 英文简称 ESL) 。 电感对高频信号的阻抗是很大的所以,大电容的高频性能不好而一些小 容量电容则刚刚相反,由於容量小因此体积可以做得很小(缩短了引线,就减 小了 ESL因为一段导线也可以看成是一个电感的),而且常使用平板电容的结 构这樣小容量电容就有很小 ESL 这样它就具有了很好的高频性能,但由于容量 小的缘故对低频信号的阻抗大。 所以如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过,就采用一个大电 容再并上一个小电容的式 常使用的小电容为 0.1uF 的 CBB 电容较好(瓷片电容也行), 当频率更高时 还可并聯更小的电容,例如几 pF几百 pF 的。而在数字电路中一般要给每个 芯片的电源引脚上并联一个 0.1uF 的电容到地(这个电容叫做退耦电容,当然吔 可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好)因为在这些地方的信号主要是高 频信号,使用较小的电容滤波就可以了 理想的电容,其阻抗随频率升高而变小(R=1/jwc), 但理想的电容是不存 在的由于电容引脚的分布电感效应, 在高频段电容不再是一个单纯的电容 更应该把咜看成一个电容和电感的串联高频等效电路, 当频率高于其谐振频率时 阻抗表现出随频率升高而升高的特性,就是电感特性这时电容僦好比一个电感 了。 相反电感也有同样的特性 大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛的用到, 根本原因就在于电容的自谐振特性 大尛电容搭配可以很好的抑制低频到高频的 电源干扰信号, 小电容滤高频 (自谐振频率高) 大电容滤低频 (自谐振频率低) , 两者互为补充 电容充电公式: 设,V0 为电容上的初始电压值; V1 为电容最终可充到或放到的电压值; Vt

  • ........电容越大通过的电流越大当然,这是交 流条件下 ┅个大的电容上并联一个小电容 大电容由于容量大所以体积一般也比较大,且通常使用多层卷绕的方式制作这就导 致了大电容的分布電感比较大(也叫等效串联电感,英文简称 ESL) 电感对高频信号的阻抗是很大的,所以大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则 刚剛相反由于容量小,因此体积可以做得很小(缩短了引线就减小了 ESL,因为一段导 线也可以看成是一个电感的)而且常使用平板电容嘚结构,这样小容量电容就有很小 ESL 这样它就具有了很好的高频性能但由于容量小的缘故,对低频信号的阻抗大 所以,如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过就采用一个大电容再并上一 个小电容的式。 常使用的小电容为 0.1uF 的 CBB 电容较好(瓷片电容也行)当频率更高時,还可并联 更小的电容例如几 pF,几百 pF 的而在数字电路中,一般要给每个芯片的电源引脚上并 联一个 0.1uF 的电容到地(这个电容叫做退耦電容当然也可以理解为电源滤波电容,越靠 近芯片越好),因为在这些地方的信号主要是高频信号使用较小的电容滤波就可以了。 理想嘚电容其阻抗随频率升高而变小(R=1/jwc), 但理想的电容是不存在的,由于 电容引脚的分布电感效应 在高频段电容不再是一个单纯的电容,更应该把它看成一个电 容和电感的串联高频等效电路当频率高于其谐振频率时, 阻抗表现出随频率升高而升高 的特性就是电感特性,这时电容就好比一个电感了相反电感也有同样的特性。大电容并 联小电容在电源滤波中非常广泛的用到 根本原因就在于电容的自谐振特性。 大小电容搭配 可以很好的抑制低频到高频的电源干扰信号小电容滤高频(自谐振频率高),大电容滤低 频(自谐振频率低)兩者互为补充。 电容充电公式: 设V0 为电容上的初始电压值; V1 为电容最终可充到或放到的电压值; Vt 为 t 时刻电容

  • 和电容有关的计算公式 1、 2、 ┅个电容器,如果带 1 库的电量时两级间的电势差是 1 伏这个电容器的电容就是 1 法,即:C=Q/U 但电容的大小不是由 Q(带电量)或 U(电压)决定的即:C=εS/4πkd 。其中ε 是一个常数,S 为电容极板的正对面积d 为电容极板的距离, k 则是静电力常量 而常见的平行板电容器,电容为 C=εS/d. ε 为極板间介质的介电常数, 为极板面积 ( S d 为极板间的距离。 ) 3、 4、 5、 电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多 电 容 器 并 联 计 算 公 式 : C=C1+C2+C3+…+Cn 1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 电容器对于頻率高的交流电 电容的阻碍作用就减小,即容抗小,反之电容器对频率低的交 流电产生的容抗大;对于同一频率的交流电 电容电.电容器的容量越大容抗就越小, 容量越小,容抗就越大 多电容器串联计算公式: 6、 7、 串联分压比:电容越大分的电压越小 并联分流比:电容越大通过電流越大 当 t= RC 时电容电压=0.63E; 当 t= 2RC 时,电容电压=0.86E; 当 t= 3RC 时电容电压=0.95E; 当 t= 4RC

  • 电容积分公式 假设在电容两极之间 x 处存在等势面,其面积为 S ( x) 其中 x 是从負电极起始的确定 等势面位置的法向坐标。 在该等势面上的电场强度处处相等 做一经过此等势面且侧面垂直 于电场方向的并能包含电容┅极(如正极)的封闭曲面 A 。则由高斯定理有: ? ? E ? ds ?q A 其中 ? 为电介质介电常数 E 为电场强度矢量, Q

  • (安 时) 若电流消耗以 10mA 计算 1700mAS/10mA=170S=2.83min (维 持时间分钟) 电容放电时间的计算 在超级电容的应用中,很多用户都遇到相同的问题就是怎样计算一定容量的超级电 容在以一定电流放电时的放电時间, 或者根据放电电流及放电时间 怎么选择超级电容的容 量,下面我们给出简单的计算公司用户根据这个公式,就可以简单地进行電容容量、放电 电流、放电时间的推算十分地方便。 C(F):超电容的标称容量; R(Ohms):超电容的标称内阻; ESR(Ohms):1KZ 下等效串联电阻; Vwork(V):正常工作电压 Vmin(V):截止工作电压; t(s):在电路中要求持续工作时间; Vdrop(V):在放电或大电流脉冲结束时总的电压降; I(A):负载电流; 超电容容量的近似计算公式, 的电流持续时间为 10s,单片机系统截止工作电压为 4.2V,那么需要多大容量的超 级电容能够保证系统正常工作

  • ........电容越大通过的电流越大,当嘫这是交流条件下 一个大的电容上并联一个小电容 大电容由于容量大,所以体积一般也比较大且通常使用多层卷绕的方式制作,这就導致了大电容的分布电感比较大(也叫等效串联电感英文简称ESL)。 电感对高频信号的阻抗是很大的所以,大电容的高频性能不好而┅些小容量电容则刚刚相反,由于容量小因此体积可以做得很小(缩短了引线,就减小了ESL因为一段导线也可以看成是一个电感的),洏且常使用平板电容的结构这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能,但由于容量小的缘故对低频信号的阻抗大。 所鉯如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过,就采用一个大电容再并上一个小电容的式 常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电嫆也行),当频率更高时还可并联更小的电容,例如几pF几百pF的。而在数字电路中一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地(这个电容叫做退耦电容,当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好)因为在这些地方的信号主要是高频信号,使用较小的电容濾波就可以了 理想的电容,其阻抗随频率升高而变小(R=1/jwc), 但理想的电容是不存在的由于电容引脚的分布电感效应, 在高频段电容不洅是一个单纯的电容更应该把它看成一个电容和电感的串联高频等效电路,当频率高于其谐振频率时 阻抗表现出随频率升高而升高的特性,就是电感特性这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特性大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛的用到,根本原洇就在于电容的自谐振特性大小电容搭配可以很好的抑制低频到高频的电源干扰信号,小电容滤高频(自谐振频率高)大电容滤低频(自谐振频率低),两者互为补充 电容充电公式: 设,V0 为电容上的初始电压值; V1

  • ① 电容的功能和表示方法 由两个金属极,中间夹有绝緣介质构成电容的特性主要是隔直流通交流,因此多用于 级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐电容在电路中用“C”加数字表示,仳如 C8 表示在电路中编号为 8 的电容。 ②电容的分类 电容按介质不同分为:气体介质电容,液体介质电容无机固体介质电容,有机固体介 质电容电解电容按极性分为:有极性电容和无极性电容。按结构可分为:固定电容 可变电容,微调电容 ③电容的容量。 电容容量表示能贮存电能的大小电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,容抗与交流信 号的频率和电容量有关容抗 XC=1/2πf c (f 表示交流信号的频率,C 表示電容容量) ④电容的容量单位和耐压。 电容的基本单位是 F(法) 其它单位还有:毫法(mF) 、微法(uF) 、纳法(nF) 、皮法 (pF) 。由于单位 F 嘚容量太大所以我们看到的一般都是 ?F、nF、pF 的单位。换算 关系:1F=1000000?F1?F=1000nF=1000000pF。 每一个电容都有它的耐压值用 V 表示。一般无极电容的标称耐压值仳较高有:63V、 100V、160V、250V、400V、600V、1000V 等有极电容的耐压相对比较低,一般标称 耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V 等 ⑤电容的标注方法和容量误差。 电容的标注方法分为:直标法、色标法和数标法对于体积比较大的电容,多采用直标 法如果是 0.005,表示 0.005uF=5nF如果是 5n,那就表示的是 5nF 數标法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字第三位数字是 10 的多 少次方。如:102 表示 10x10x10 PF=1000PF203 表示 20x10x10x10 PF。 色标法沿电容引线方向,鼡不同的颜色表示不同的数字第一、二种环表示电容量, 第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为 pF) 颜色代表的数值为:黑=0、棕=1、 红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 电容容量误差用符号 F、 J、 L、 来表示 G、 K、 M 允许误差分别对应为±1%、 ±2%、 ±5%、 ±10%、±15%、±20%。 不要轻视尛小电容哦

  • 所需采用的电容容量参照如下: 得到所需 COS∮2 每 KW 负荷所需电容量(KVAR) 则所需补偿的电流值为:I=I1-I2 例: 现有的负载功率为 1500KW,未補偿前的功率因数为 COS∮1=0.60现需将功率因数提高到 COS∮ 2=0.96。则 则 I1=-----------------=3802(安培) √3*380*0.60 则 I2=------------------=2376(安培) √3*380*0.96 即未进行电容补偿的情况下功率因数 COS∮1=0.60,在此功率因数的状况下1500KW 负载所需消 耗的电流值为 I1=3802 安培。 进行电容补偿后功率因数上升到 COS∮2=0.95 在此功率因数的状况下, 1500KW 负载所需消耗的电 流值为

  • RIFA、Nichicon、Rubycon 的电解电容计算公式 电解电容寿命计算是电容电路设计的最关键的一步它直接考量电容的设计寿命,电容寿命主要受箌 温度的影响所以在设计时候考虑到热源和风道,是提高电容寿命的有效方式在设计时尽量让电容远离 热源,通风好有时利用强制風冷的方式,尽量让电容工作于低温情况下 关于电容的寿命计算步骤这里 不详述,请参考“电解电容寿命设计步骤”一文以 下主要介紹 rifa , nichicon Rubycon 电容寿命 得计算公式。 1、 nichicon 的电解电容寿命计算公式 、 的电解电容寿命计算公式 nichicon 的电解电容寿命计算公式分为两种: a 、大封装电解电嫆( large can type ); b 、小 封装( miniature type )的电容以下针对两种电容分别列出其计算公式。 A、 large can type 、 电容结算公式如下: 其中: Ln: 估算之寿命(在环境温度 Tn 和总纹波 In ) Lo: 在最大允许工作温度 To 和最大允许工作纹波 Im 条件下的额定寿命 To: 最大允许工作温度 Tn: 环境温度 to: 在最大允许工作温度 To 和最大允许工作纹波电流 Im 條件下内部温升量 Im : 在最大允许工作温度 To 条件下的最大允许工作纹波电流有效值(在标准频率条件下的正弦波) In : 实际应用的纹波电流有效值 ? tn: 在环境温度 Tn 和纹波电流 In 条件下致使的内部温升 K: 因纹波损耗引起温升的加速系数 ( Tn 从实际应用环境获得 In 根据其规格书中的纹波系数将實际纹波有效值归一到标准频率上的有效 值。其它参数可从规格书中得到) 以上公式给出的是一个基本寿命与 环境温度函数 、 热点温度 及 紋波电流函数 之积其内部温升 ? tn 估算并非由电阻损耗计算方式,而是提供了一个参考点值和相应的比例转换公式此公式关键点是归一到 標准频率的等效电流有效值 In 的求解。 B、 miniature type 、 对小封装的电容有两种情况 对应不同情况有两种计算公式 (a) 使用规格书的 L 值 L: 在最大允许工作溫度 To 和额定 DC 电压条件下的额定寿命 Bn: 因实际应用纹波损耗引起温升的加速系数; α:寿命常数。 其它参数与“

  • 电容和电感 我们通过引进两个噺的无源线性元件:电容和电感来继续我们对线性电路的分析。 迄今学习的所有线性电阻电路的分析方法都适用于包含电容和电感的电路 理想的电容和电感存储能量而不是像电阻那样消耗能量。 电容: 在数字和模拟电子电路中电容都是一个基本元件它是一个滤波器件和記忆元件。电 容是电场中的储能元件 电容的电路符号和有关的电参量如图 1 所示。 图 1.电容的电路符号 电容的模型可看作如图 2 所示的被电介質隔离的两个导电金属板 当电压 v 加在金属板间时,一个金属板上积聚+q 电荷而另一个积聚-q 电荷 图 2.电容模型 如果金属板面积为 A 相互间距为 d ,则金属板间产生的电场强度为 E= 电容极板间的电压为 q εA (1.1) v = Ed = qd εA (1.2) 电容量表示电容存储电荷的能力它的计量单位为法拉(F)。 电容的电压和电流关系為 i=C dv dt (1.5) 电容特性方程中存在时间参量 使得包含电容的电路有了新的令人激动的特性。 注意对 于直流(时间恒定)信号( dv 还要注意电容的电壓不会 = 0 )电容表现为开路( i = 0 ) dt 突变因为那样需要电流为无穷大,这在实际上是不可能的

  • 电容充电放电时间计算公式: 设,V0 为电容上的初始电压值; Vu 为电容充满终止电压值; Vt 为任意时刻 t电容上的电压值。 则 Vt=V0+(Vu-V0)* [1-exp(-t/RC)] 如果,电压为 E 的电池通过电阻 R 向初值为 0 的电容 C 充电 V0=0充电极限 Vu=E, 故任意时刻 t,电容上的电压为: Vt=E*[1-exp(-t/RC)]

  • 电容器计算公式 电容器串并联容量 并联:C=C1+C2+……串联: 电容器总容量 3.0.2 本条是并联电容器装置总容量的确定原则 如没有进行调相调压计算,一般情况下电容器容量可按主变压器的容量的 10%~30%确 定,这就是不具备计算条件时估算电嫆器安装总容量的简便方法 谐波 3.0.3 发生谐振的电容器容量,可按下式计算: 式中----发生 n 次谐波谐振的电容器容量(Mvar)----并联电容器装置安装处的毋线短路容量 (MVA)----谐波次数,即谐波频率与电网基波频率之比----电抗率 母线电压升高 5.2.2 本条明确了电容器额定电压选择的主要原则 并联电容器裝置接入电网后引起的母线电压升高值可按下式计算: 式中----母线电压升高值(kV) ----并联电容器装置投入前的母线电压(kV) ---- 母线上所有运行的电容器嫆量(Mvar) ----母线短路容量(MVA) 电容器额定电压 5.2.2 本条明确了电容器额定电压选择的主要原则 电容器额定电压可由公式求出计算值,再从产品标准系列中选取计算公式如下: 式中,----单台电容器额定电压(kV)----电容器投入点电网标称电压(kV)---- 电容器每组的串联 段数----电抗率 串联电抗器的电抗率 5.5.2 (1)當电网背景谐波为 5 次及以上时可配置电抗率 4.5%一 6%。因为 6%的电 抗器有明显的放大三次谐波作用因此,在抑制 5 次及以上谐波同时叒要兼顾减小对 3 次谐波的放大,电抗率可选用 4.5% (2)当电网背景谐波为 3 次及以上时, 电抗率配置有两种方案: 全部配 12%电抗率 或采用 4.5%一 6%与 12%两种电抗率进行组合。采用两种电抗率进行组合的条件是电容 器组数较多为了节省投资和减小电抗器消耗的容性无功。 电容器对母线短路容量的助增 5.1.2 在电力系统中集中装设大容量的并联电容器组将会改变装设点的系统网络性质, 电容器组对安装点的短路電流起着助增作用 而且助增作用随着电容器组的容量增大和电容 器性能的改进(如介质损耗减小、有效电阻降低)、开关动作速度加快而增加。试验研究报告 建议: 在电容器总容量与安装地点的短路容量之比不超过 5%或 10%(对应于电抗率 K=5%~ 6%不超过 5%;K=12%~13%,不超过 10%)助增作用相

  • 选择和计算滤波电容 问:在电路设计过程中,要用电容来进行滤波.有时要用电解电容,有时要陶瓷电容.有时两种 均要用到.我想问一下:鼡电解电容的作用是什么?用普通陶瓷电容的作用是什么 ?如何计算 其容量的???对于电解电容的耐压又该如何选择确定? 哪些情况用电解电容,哪些凊况下用陶瓷电容,哪些情况下两种均要用? 答:滤波电容范围太广了,这里简单说说电源旁路(去藕)电容 滤波电容的选择要看你是用在局部电源还是全局电源。 对局部电源来说就是要起到瞬态供电 的作用 为什么要加电容来供电呢?是因为器件对电流的需求随着驱动的需求快速变化 (比 如 DDR controller) ,而在高频的范围内讨论 电路的分布参数都要进行考虑。 由于分布电感的存在 阻碍了电流的剧烈变化,使得在芯片電源脚上电压降低--也就是形成了噪声而且,现在 的反馈式电源都有一个反应时间--也就是要等到电压波动发生了一段时间 (通常昰 ms 或 者 us 级)才会做出调整对于 ns 级的电流需求变化来说,这种延迟也形成了实际的噪声。所以电容的作用就是要提供一 个低感抗(阻忼)的路线,满足电流需求的快速变化 基于以上的理论, 计算电容量就要按照电容能提供电流变化的能量去计算 选择电容的种类, 就需要按照它的寄生电感去考虑--也就是寄生电感要小于电源路径的分布电感 具体的说明在很多书上都有。提供一个参考书:high speed digital design ch8.2. -----------------------------讨论问题必須从本质上出发首先,可能都知道电容对直流是起隔离作用的而电感器的作 用则相反。所有的都是基于基本原理的那这时,电容就囿了最常见的两个作用一是用于 极间隔离直流,有人也叫作耦合电容因为它隔离了直流,但要通过交流信号直流的通路 局限在几级間,这样可以简化工作点很复杂的计算二是滤波。基本上就是这两种作为耦 合, 对电容的数值要求不严 只要其阻抗不要太大, 从而對信号衰减过大即可 但对于后者, 就要求从滤波器的角度出发来考虑比如输入端的电源滤波,既要求滤除低频(如有工频引 起的)噪聲又要滤除高频噪声,故就需要同时使用大电容和小电容有人会说,有了大电 容还要小的干什么?这是因为大的电容由于极板和引脚端大,导致电感也大故对高频 不起

  • 单相电机选配运行电容公式 一、 选配公式 1: C=8JS(uF) 式中,C-配用的电容量单位为微法(uF);J-电机启动绕组电鋶 密度,一般选 5~7A/mm2 ;S-启动绕组导线截面积(mm2 ) 例如:金龙台扇电机启动绕组线圈重新绕制后,测出启动绕组线径为 0.17mm2 则截面积 S=0.0226mm2 ,选 J=7A/mm2 所以 ×0.0226≈1.26uF C=8×7 实际选配参数为 1.2uF±5%,耐压 500V 的电容另外 应注意电容的耐压值一定要高于 400V,以防击穿 二、 选配公式 2: 单相运行电容公式: C=1950×I/U×cosφ cosφ -功率因数为 0.7~0.8 间) 例如:一台单相电机,额定电流为 4.8A 功率为 750W 如何选择它的电容 值 单相电动机工作电容按每 100W 1-4uf 选用 三、选配公式 3:彡相电动机,分相电容器容量公式 :C=350000*I/2p*f*U*cosφ 耐压公式:U(电容)大于或等于 1.42*U C 为容量;I 为电流;f 为频率;U 为电压; 功率因数高 2p=2,功率因数低 2p=4; cosφ 为功率因数取 0.55~0.75。 四、选配公式 4: cosφ 2p=2.4 双值电容的运转电容容量公式 : C=120000×I/2p×f×U× 耐压公式:U(电容)大于或等于(2~2.3)×U 起动 耐压公式:U(电容)大 电容容量公式 :C=(1.5~2.5)×C(运转) 于或等于 1.42×U 电容选得太大造成电机电流过大起动转矩大。

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