紧束缚方法计算超晶格有带隙与无带隙的软件有哪些

点击联系发帖人 时间：2019-04-30 17:51

带隙

构成的II 类超晶格(T2SL)光电探测器近年來在理论结构设计x 及试验器件实现方面进展显著有带隙与无带隙工程和能带结构工程使得T2SL 比碲镉汞材料具有某些优势，特别是很小的窄囿带隙与无带隙方面这些特有的性质，例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制俄歇复合使其成为一種很有吸收力的甚长波红外(VLWIR)探测器材料。通过归纳和分析近年来刊发的有关文献资料介绍了T2SL/VLWIR探测器发展中的有关问题，例如基本概念、結构、性能优化、数值建模、电学性能等关键词：II 类超晶格；红外探测器；甚长波红外中图分类号：TN362 文献标识码：A 文章编号：（2011 ）02-0045-08 Development of Type-II

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内容提示：石墨烯及二硫化钼掺雜结构电子特性的理论研究

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【摘要】：本文用半经验紧束缚法（ＬＣＡＯ）对赝形生长在（００１）Ｓｉ１－ｙＧｅｙ（０≤ｙ≤１）衬底上的Ｓｉｍ／Ｇｅｎ（２≤ｍ＋ｎ≤４０）应变层超晶格嘚能带结构进行了系统的计算．结果表明当Ｓｉ层和Ｇｅ层的厚度ｍ和ｎ的取值分别为（１，４）（２，３）（３，２）（４，１）（２，８）（３，７）（４，６）（６，４）（３，６）（６，３）（７，７）时对称应变Ｓｉｍ／Ｇｅｎ超晶格嘚能带结构为直接有带隙与无带隙，其中ｍ＋ｎ＝１０的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实．本文所得的ｍ＋ｎ＝５及其它ｍ＋ｎ≠１０的直接有带隙与无带隙结构是目前国内外首次报道的新结果．

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徐至中;[J];固体电子学研究与进展;1992年03期

刘振先李国华，韩和相汪兆平;[J];半导体学报;1994年03期

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罗昌平，江德生李锋，庄蔚華;[J];半导体学报;1995年07期

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