不知道用哪种MOS管发现不同封装，好像Pd也有很大差别

楼主选型参数关注的很仔细嘛，同问！

Pd 一直理解成最大处理功耗...不知对不

楼上正解~Pd为MOS的耗散功率~Pd大的话器件本身散熱性能要比小的好~

是么我好像从来不知道嘛，学习了哈哈

这只是我自己的理解~对不对也不清楚~呵呵~

应该不是吧， 300W岂不吓死人

记得有个資料是这样说的)

总消耗功率, Ptot/Pd, 所引述的条件是衬底温度保持在25C? 例如，BUK553-100A 的 Ptot 值为75 W,消耗这个功率使衬底温度保持在25 ? C 是极大的挑战衬底温度樾高，能耗散的总耗散功率越低

如果你能保持基底温度只有25度左右,那是可以的.当然一般不可能做到,所以这也是为什么大大降额使用的原洇.

这个PD是耗散功率，这个是有条件的就是在特定条件下得来的，一般都是TC=25℃也就是封装散热表面温度是25摄氏度的时候芯片可以承受50W的功率，但是实际上是不可能的此参数其实是计算得来的，而不是测试得来的PD受最大结温的限制，也就是说在最大结温允许的条件下芯片都是可以工作的，PD=(Tj-Tc)R(热阻),从这个公式中可以看出和热阻是有很大关系的..

7楼的朋友,及9楼是正解....

汗,资料不是我写的...

文工能否附上此文档，謝谢~

小法有没有QQ，想向你讨教一些软件Saber仿真的问题

2）114兄弟我的QQ，有空交流我也很久没玩仿真~~~

MOS在电路中的电流怎么计算了？

这得至少囿拓扑吧...

Pd为耗散功率同等条件下Pd越大越好！