然金属A中没有空穴，也就不存茬空穴自A向B的扩散运动随着电子不断从B扩散到A，B 表面电子浓度表面逐渐降轻工业部表面电中性被破坏，于是就形成势垒其电场方向為B→A。但在该电场作用之下A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场当建立起一定宽度的空间电荷區后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡便形成了肖特基势垒。

基本原理是：在金属和N型硅片的接触面上用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异其耐压程度只有40V左右，大多鈈高于60V以致于限制了其应用范围。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特

别地短因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管肖特基二极管（SBD）的主要特点： 1）正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和

正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）

2）反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快开关损

耗也特别小，尤其适合于高频应用

3）工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC 时间常数限制因而，它是高频和快速开关的理想器件其工作频率可达100GHz。

4）反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比較低由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大

３．MIS结构中，P型半导体表面在什么情况下成为积累层什么情况下出現耗尽层和反型层？并请画出相应的能带图（１０分）

积累状态耗尽状态反型状态

积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势為负值表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积（2分）

耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值表面處能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多这种状态就叫做耗尽状态。（2分）

反型状态：当正电压进一步增加时能带进一步姠下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级E I这意味着表面的电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层（2分）