肖特基二极管P10V45SP的独特之处： 在相哃的VR、IR和晶片尺寸下VF较低；
 在相同的额定VR、VF和IF下，电流密度较大；
 在相同的EPI和晶片尺寸下漏电电流较少；

可以的，直接替代的 肖特基二极管P10V45SP参数：硅45V 10A肖特基二极管。特点：金属半导体结与保护环低正向压降高电流能力适用于低电压，高频率逆变器续流和极性保护應用。