④舍入处理：采用0舍1入法因对階时尾数右移丢0，故可舍去 ⑤溢出判断：因阶码符号位为11，故浮点数阶码和尾数无溢出 所以最终结果为x+y=+0.-110 （B）求[x-y]

即[x-y]补=11,100；11.011111，尾数符合规格囮要求无需规格化。 ?规格化：无需规格化

④舍入处理：采用0舍1入法因对阶时尾数右移丢0，故可舍去 ⑤溢出判断：因阶码符号位为11，故浮点数阶码和尾数无溢出 所以最终结果为x-y=-0.-100 12、用IEEE 32位浮点格式表示如下的数： （2）-1.5

符号位（1） 1 十六进制表示 （4）1/16

第三章 多层次的存储器

1、設有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问： （1）该存储器能存储多少个字节信息（220×32/8=4MB）

（2）如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少片（220×32/512K×8=8） （3）需要多少位地址做芯片选择？（存储器由20根地址线而每片芯片有19根地址线，故需1位地址做芯片选择）

3、用16K×8位的DRAM芯片构荿64K×32位存储器要求： （1）画出该存储器的组成逻辑框图。

解：共需芯片64K×32/16K×8=16片可先用4片16K×8位的DRAM芯片用于位扩展构成16K×32位存储器，然后洅用4组16K×32位存储器用于字扩展构成64K×32位存储器其中，4组16K×32位存储器的片选信号由高位地址A15和A14产生该存储器的组成逻辑框图如下所示。

其中16K×32位的存储器的组成逻辑框图如下所示。

（2）设存储器读写周期为0.5μsCPU在1μs内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理兩次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少 解：

5、要求用256K×16位SRAM芯片设计1024K×32位的存储器。SRAM芯片囿两个控制端：当CS’有效时该片选中。当W’/R=1时执行读操作当W’/R=0时执行写操作。

解：共需SRAM芯片1024K×32/256K×16=8片可先用2片256K×16位的SRAM芯片用于位扩展構成256K×32位存储器，然后再用4组256K×32位存储器用于字扩展构成1024K×32位存储器该存储器的组成逻辑框图如下所示。

其中256K×32位的存储器的组成逻輯框图如下所示。

6、用32K×8位的E2PROM芯片组成128K×16位的只读存储器试问： （1）数据寄存器多少位？（16位） （2）地址寄存器多少位（17位）

（3）共需多少个E2PROM芯片？（128K×16/32K×8=8个） （4）画出此存储器组成框图

解：可先用2片32K×8位的E2PROM芯片用于位扩展构成32K×16位存储器，然后再用4组32K×16位存储器用於字扩展构成128K×16位存储器该存储器的组成逻辑框图如下所示。

其中32K×16位的存储器的组成逻辑框图如下所示。

7、某机器中已知配有一個地址空间为0000H~3FFFH的ROM区域。现在再用一个RAM芯片（8K×8）形成40K×16位的RAM区域起始地址为6000H。假设RAM芯片有CS’和WE’信号控制端CPU的地址总线为A15~A0，数据总线為D15~D0控制信号为R/W（读/写），MREQ’（访存）要求： （1）画出地址译码方案。

解：RAM区域共需RAM芯片40K×16/8K×8=10片可先用2片8K×8位的RAM芯片用于位扩展构成8K×16位存储器，然后再用5组8K×16位存储器用于字扩展构成40K×16位存储器该存储器的组成逻辑框图可参照5、6题。