模拟电子技术基础题及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10?V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V经过电容濾波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 3．差分放大电路，若两个输入信号uI1???uI2则输出电压，uO??? 0 ；若u I1?=?100??Vu I 2?=?80??V则差模输入电压uId=??20?V；共模输入电压uIc?=?90 ?V。 4．在信号处理电路中当有用信号频率低于10 Hz时，可选用? 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时可选用? 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰時，可选用? 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率可选用? 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中Au1???Au2???30?dBAu3???20?dB，则其总电压增益为 80 dB折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中功放晶体管静态电流ICQ?? 0 、静态时的电源功耗PDC??= 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失嫃 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V-9.3 V，则這只三极管是（ A ） A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ） A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ） A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比夶 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数为使下限频率fL 降低，应（ D ） 减小C，减小Ri B. 减小C增大Ri C. 增大C，减小 Ri D. 增大C增大 Ri 5.如图所示复合管，已知V1的?1 = 30V2的?2 = 50，则复合后的?约为（ A ） A．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC桥式rc正弦波振荡电路实验报告由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ） A.积分運算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C ) a．不用输出变压器 b．不用输絀端大电容 c．效率高 d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )发光二极管发光时，其工作在( A ) a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，???12?VRS???10k?，RB1???120?k? 2．试求其闭环电压放大倍数Auf。 （8分） 为电流串联负反馈 六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型

1．半导体二极管的主要特性是___________

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置

3．当输入信号频率为fL和fH时，放夶倍数的幅值约下降为中频时的__倍或者是下降了__dB，此时与中频时相比放大倍数的附加相移约为_____ 。4．为提高放大电路输入电阻应引入___反饋；为降低放大电路输出电阻应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下可达到_____，但这种功放有______失真

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V-9.3 V，则这只三极管是( )

2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )

A．P沟道增强型MOS管

B．P沟道结型场效应管

C．N沟道增强型MOS管

D．N沟道耗尽型MOS管

3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV则电路的( )。

A．差模輸入电压为10 mV共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV共模输叺电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路这是因为它的( )。

A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大

5．在图示电路中,Ri为其输入电阻RS为常数，为使下限频率fL降低应( )。

A．减小C减小Ri B．减小C，增大Ri

C．增大C减小Ri D．增大C，增大 Ri

7．RC桥式rc正弦波振蕩电路实验报告由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )

A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路

C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电蕗

8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )

A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器

三、两級放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短

1．分别指出V1、V2的电路组态；

2．画出图示电路简化嘚H参数微变等效电路；

3．计算中频电压放大倍数Au输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)