光刻机是谁发明的（Mask Aligner) 又名：掩模對准曝光机曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是谁发明的是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序

Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；

在硅片表面匀胶，然後将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程

1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管从此光刻技术开始了发展。

1959年世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。

1960年代仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机

1970年玳，GCA开发出第一台分布重复投影曝光机集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。

1980年代美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成電路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点

1990年代，n1995年Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5L步进机； ASML推出FPA2500193nm波长步进扫描曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”

2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时NGL正在研究，包括极紫外线光刻技术电子束光刻技术，X射线光刻技术納米压印技术等