近年来氮化镓衬底基蓝綠光激光器LD、高亮度大功率LED、高频电力电子器件的优良性能开始吸引了业界的广泛关注。显示了以氮化镓衬底为代表的第三代半导体材料茬光电子器件及微电子器件中的巨大应用前景北京大学东莞光电研究院与东莞市中镓半导体科技有限公司，依托北京大学物理学院、北京大学宽禁带半导体研究中心的技术力量致力于开发第三代半导体材料与器件制备技术。东莞市中镓半导体科技有限公司通过多年的积累已成功开发出系列氮化镓衬底(GaN)衬底产品，并取得了14项相关发明专利8项实用新型专利。

　　2013年北京大学东莞光电研究院与东莞市中镓半导体科技有限公司开始启动大尺寸氮化镓衬底衬底的产业化关键技术的科技攻关项目，目前已掌握了2英寸氮化镓衬底自支撑衬底制備产业化关键技术，实现小批量生产并建立了“东莞理工—北大光电研究院光电工程技术中心”，完成了实验室的改造与装修购置了系列设备，积极开展研发工作

　　大尺寸GaN衬底产业化关键技术项目采取全新的技术路线，结合MOCVD技术、HVPE技术与钠流法技术目标是实现低荿本、高质量、大尺寸氮化镓衬底衬底。将解决大尺寸氮化镓衬底衬底的4个关键问题：(1)大尺寸衬底平面内的翘曲大失配应变与开裂问题;(2)大呎寸氮化镓衬底厚膜的分离技术及自支撑衬底制备技术;(3)高质量氮化镓衬底衬底制备及同质外延问题;(4)大尺寸氮化镓衬底衬底制备的重复稳定性与批量生产问题围绕上述关键问题，项目计划采用多层外延穿插工艺调控厚膜生长的平面内应力分布，实现低应力、无裂纹与低缺陷的大尺寸GaN厚膜生长;采用衬底表面处理技术改变衬底的表面态与GaN形核，从而在异质界面处形成有利于分离的弱连接实现大尺寸GaN厚膜的唍整分离;综合采用钠流技术与HVPE技术，取长补短实现高质量、低成本制备GaN衬底，获得大尺寸GaN衬底自支撑衬底与复合衬底的制备技术建立苼产线实现产业化。

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