如何降低PA的记忆效应？_52RD研发论坛
如何降低PA的记忆效应？ericmok Post at
0:41:10我们搞了一个PA，由于记忆效应严重，与dpd配合不好，请问有哪位大侠知道，如何降低记忆效应吗？如果有可以明显改善的方法就好了。呵呵[em02]Alan_pann Post at
18:02:55layout&贴出来看看ィ&什么器件？ericmok Post at
18:57:55layout&在公司里，不能拿出来。器件是mrf19205xidian123 Post at
22:34:32记忆效应？什么表现？[em13]jupitorcuu Post at
12:40:19你怎么能确定是因为PA记忆效应导致DPD系统效果不好呢？很多因素都会导致效果不好，比较典型的如通道增益平坦度，工作点，ADC失真。我觉得如果都没问题的话，是DPD算法来适应记忆效应，而不是PA自己去调整。记忆效应是带宽的产物，频带宽了都会有的，PA匹配调整得很有限。实际上你是不太可能用常规的办法测出来记忆效应的，你从仪器看到的只是记忆效应落在实轴上的那部分映射罢了，而实际上记忆效应是个矢量。ericmok Post at
21:19:53楼上说的有道理，通过PA调整是有限，但是也是需要到达一定程度才能让dpd去run。你说工作点和ADC导致的情况是怎么样的呢？&能详细点讲吗？洗耳恭听！！fengmo44 Post at
9:14:46能仔细说说记忆效应吗？&是说PA的输出信号相对输入信号由延迟&就是输出记忆了前一刻得输入信号&？lzheng1984 Post at
9:35:13PA的记忆效应的确是非常恶心啊[em04]我设计的一个功放也是被记忆效应给卡住了不知道怎么弄才好[em03]fengmo44 Post at
11:40:51。。。。。&谁给介绍下记忆效应是什么意思啊&我没做过PA&也不知道这是个什么样的问题&楼上的能说明下吗？jupitorcuu Post at
13:25:52我理解的记忆效应并不是延迟那么简单，这个也不好给个权威的描述，具体还是看看书本上是怎么说的吧。我只说我自己理解的，对不对的，你们自己去判别吧。我觉得记忆效应有两种，一种是阻抗随频率变化引起的，另一种是由管子温度变化引起的。它们的直观反应在，IM产物的不对称。在说下DPD为什么对记忆效应敏感，这主要是由于，DPD算法有没有把这个PA模型考虑成带记忆效应的模型。如果没有考虑的话，那么按照一个无记忆效应的PA模型去计算的话，永远不会有收敛的结果，或者结果很差。不同的算法对记忆效应敏感点也是不一样的，不好说对哪种带宽的效应敏感。我只想抛砖引玉，不可能说得很具体。总的思路就是，你要站在别人角度考虑这个问题，而不是只从PA本身。试想一下，如果DPD拿到的数字信号，不能完美的复现PA的输出信号，那再好的PA设计也没有意义。ericmok Post at
23:23:08LS看来是个高手哦。你说的第一种是电学记忆效应，第二种是热学记忆效应。目前主要关注第一种吧。除了IMD不对称外，还表现为VBW的不平坦。DPD确实需要跟pa配合。但如果dpd对别的pa好用，但对你的pa不好用，那就说明自己pa&的问题了哈~~LS有没有具体的办法解决呢？[em02]jupitorcuu Post at
11:05:52你确定吗，对别的PA好用，同样的收发通道，同样的管子，同样的功率工作点？海大指南针 Post at
22:07:17顶一个，学习中。zaiqianxian Post at
16:10:25学习中。。。[em01][em01][em01]fengmo44 Post at
10:29:44阻抗随频率变化引起的&？？不好意思&还不是很明白&任何器件都是有其频率响应的啊&阻抗肯定都是随频率变化的&我是学通信的&但是没发现有这个概念&谁能帮忙再详细说明下吗&比如现象&原因&等xiayunqiang Post at
15:39:19非线性的表现，即相位失真和幅度失真！ericmok Post at
22:23:32jupitorcuu&能够提供一些办法吗？如何解决。当然也需要dpd的配合。但功放这块drain和gate的电容的排列和容值该如何选择呢ustc_zhuzhiyu Post at
11:20:50学习中。。。。c Post at
11:35:16看到PA的记忆效应，我也很好奇，第一次看到这个名词。所以去网上查了一下：（下面内容转/app/analog/88_2.htm）军用集群系统降低功放记忆效应的实现时间：&15:22:45&来源：EDN&china&作者：　功率放大器记忆效应产生原因及影响　　功率放大器非线性特性产生的失真分量不恒定，例如三阶或五阶交调的幅度、相位会随输入信号幅度和带宽的变化而改变。这种失真分量依赖于输入信号幅度、带宽的现象通常称之为功率放大器的记忆效应。　　轻微的记忆效应本身对功率放大器的线性度并无严重影响。即在双音频测试中，随着音频间隔的增加，如果放大器三阶交调分量的相位旋转不超过10o，且幅度起伏不大于0.5dB，此时功放的记忆效应不会明显影响邻近信道功率比，可以不予考虑。然而，当功率放大器的上下边带的ACPR（an&adjacent&channel&Power&ratio，相邻信道功率比）出现较大不对称现象时，即使三阶、五阶交调分量的相位和幅度失真很小，也不能忽略记忆效应对放大器的影响。&　　减弱功放记忆效应的基本思路　　功放记忆效应使射频预失真线性化功率放大器的效果有很大退化，为增强射频预失真线性化功率放大器的稳定性和可靠性，需对所设计的功率放大器进行减弱记忆效应的相关处理。　　降低记忆效应的基本想法是：通过附加电路滤除由包络和二次谐波控制的三阶交调分量。最简便的方法是在四分之一波长传输线后面的偏置线上，添加辅助电路使包络信号和二次谐波短路，但由于传输线的离散作用，使得这种方法难以实现宽带短路。因此，短路电路网络应当直接加在紧靠栅极和漏极的地方，而不必经过四分之一波长传输线才短路。短路网络可使用LC串联电路实现。　　采用附加电路法减弱功放记忆效应分析　　使用附加电路滤除由包络和二次谐波控制的三阶交调分量，对减小功率放大器的记忆效应是有效的，现分析如下：　　假设信号的中心频率为f_{0}、带宽为f_{U}-f_{L}，并带有二次谐波和包络分量。它的频谱如图1所示。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　信号的中心频率可表示为f_{0}=\frac{f_{U}+f_{L}}{2}≈\sqrt{f_{U}f_{L}}&(1)　　晶体管的一种理想输出端口匹配电路拓扑如图2。&&&&&&&&&&&&&&　　输入端口的匹配电路拓扑同样采用上面的结构。图中包括滤除二次谐波和包络的LC谐振回路和基波的最优匹配电路。为了使滤除二次谐波的LC谐振回路对二次谐波2f_{U}和2f_{L}具有相同的阻抗，则L2与C2组成的谐振回路须在频率2\sqrt{ω_{U}ω_{L}}处振荡，即L_{2}C_{2}=1/(4ω_{U}ω_{L})≈1/(2ω_{0})^{2}&(2)　　假设滤除包络的LC谐振回路和基波匹配电路的阻抗在二次谐波频率处非常大，则输出负载阻抗Z_{L},_{ext}(2f_{U})和&Z_{L},_{ext}(2f_{L})是共轭的，它们的模为OZ_{L，ext}(2f_{U})O=OZ_{L，ext}(2f_{L})O=4πL_{2}(f_{U}-f_{L})&(3)　　显然，Z_{L，ext}(2f_{U})和Z_{L，ext}(2f_{L})与电感L2和信号带宽有关。　　为了将包络信号短路，须使用一个大电容Cg。同样地，假设滤除二次谐波的LC回路和基波匹配电路在信号带宽频率处的阻抗非常大，则Z_{L，ext}(f_{U}-f_{L})的模可表示为OZ_{L，ext}(f_{U}-f_{L})O=2πL_{e}(f_{U}-f_{L})&(4)　　若电感L2与Le的值相同，那么阻抗Z_{L，ext}(f_{U}-f_{L})将是Z_{L，ext}(2f_{U})的二分之一。最后，需要匹配的优化基波阻抗为jX_{opt}(ω)=[jωL_{2}+1/(jωC_{2})]//&jωL_{e}//&jωC_{ds}&(5)　　其中ω_{L}≤ω≤ω_{U}，如果滤除二次谐波和包络的LC谐振回路在基波频率处的阻抗非常小，则在实际中难以将这个优化基波阻抗匹配到实际的负载阻抗，故匹配的难度将限制L2、Le和C2的取值。根据要求，可以得到滤除二次谐波和包络的LC谐振回路的最小阻抗值。因此，在设计短路网络的时候，应注意使滤除二次谐波和包络的LC谐振回路在基波频率处的阻抗要大于这个最小值。　　某军用集群系统基站降低功放记忆效应的实现　　军用集群系统所用的频率范围一般为400~420MHz，其基站的功率放大器通常使用封装后的晶体管，故实际中不得不考虑封装引脚的电感效应。当和外部匹配电路配合使用时，封装引脚的寄生电感具有改善晶体管的稳定性、增加有用带宽的优点。以MRF5P21180HR6&LDMOSFET为例，这种晶体管由两个90W的功率单元构成，能达到180W的功率峰值。封装后单个功率单元的等效电路如图3所示。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　在包络这种低频下，小电容的阻抗非常大，并联结构中可忽略不计。则针对包络分量的阻抗和频率ω、Lg1、Lg2和Ld2有关系，并可求出阻抗Z_{S，ext}(f_{U}-f_{L})和Z_{l，ext}(f_{U}-f_{L})的表达式：&OZ_{S，ext}(f_{U}-f_{L})O=2π(L_{g1}+L_{g2}+L_{e})(f_{U}-f_{L})&(6)OZ_{S，ext}(f_{U}-f_{L})O=2π(L_{d2}+L_{e})(f_{U}-f_{L})&(7)　　另一方面，对于二次谐波分量，栅极和漏极外相应的阻抗Z'_{S，ext}(ω=2ω_{1}≈2ω_{2})和Z'_{L，ext}(ω=2ω_{1}≈2ω_{2})的表达式为，Z'_{S，ext}(ω=2ω_{1}≈2ω_{2})=-x1/jωC_{pad}/2)//[jωL_{g2}+&(jωL_{g1}//1/jωC_{g，mos})]y(8)Z'_{L，ext}(ω=2ω_{1}≈2ω_{2})=?[1/(jωC_{pad}/2)//jωL_{d2}&(9)　　等式（8）、（9）很容易用包含串联LC谐振回路的匹配电路实现，这是因为二次谐波分量的相对带宽要比包络分量的相对带宽窄得多，故滤除包络分量比滤除二次谐波分量的难度更大。因此，包络分量对记忆效应的作用要比二次谐波分量更大。在实际应用中，由于包络分量对功率放大器的记忆效应起主要作用，故一般只对滤除包络分量的辅助电路进行优化，高频下可用某些寄生参数较强的大电容（如钽电容）来代替滤除包络分量的串联LeCe谐振回路。Alan_pann Post at
23:49:01[em01]&问一下楼主是哪家公司的？9205的话，可以问一下Di&song他们了。不过，听说9205做的Doherty&比较容易自激。自己注意下了。sumbren Post at
8:52:02学习中。。。。[em01]jupitorcuu Post at
11:01:48[QUOTE][B]以下是引用[i]ericmok[/i]在&22:23:32的发言：[/B]jupitorcuu&能够提供一些办法吗？如何解决。当然也需要dpd的配合。但功放这块drain和gate的电容的排列和容值该如何选择呢[/QUOTE]恕在下无能为力了，优化bias部分肯定会对记忆效应有效果，但要在其他部分都优化前提下才能看到区别。管子内部接地你就没法改善了。fengmo44 Post at
11:53:20输入信号大肯定交调产物什么的会大啊&原来这个也算是PA的记忆效应啊&我也搜过可惜没找到&多谢了&终于明白了btz23 Post at
22:44:49　&&功率放大器非线性特性产生的失真分量不恒定，例如三阶或五阶交调的幅度、相位会随输入信号幅度和带宽的变化而改变。这种失真分量依赖于输入信号幅度、带宽的现象通常称之为功率放大器的记忆效应。&&&&&&现在的人只知道解决自已的问题，全然不理会别人的问题，不是网络精神！happyren123 Post at
23:36:24功率放大器的记忆效应&&&是个很让设计工程师讨厌的东西；但是很难避免的，只能是通过设计来改善；因为功率放大器的记忆效应的表现特征就是IMD随着双音信号间隔增大，而IMD会恶化，或随着频率带宽增大，也出现不稳定现象；还有就是视频带宽很难做宽；解决方法：微带电路匹配时，要选择至少3阶阻抗变换；漏极1/4波长馈电部分要选择对称设计，可以改善功率放大器的记忆效应的影响。ericmok Post at
9:42:38happyren123,说的两种办法后一种已经试过了，呵呵。前一种倒是没有注意过，不过在下次中一定会注意，这对匹配电路的Q值也是有好处的。非常感谢你的分享！[em01]ericmok Post at
9:44:15&问一下楼主是哪家公司的？9205的话，可以问一下Di&song他们了。不过，听说9205做的Doherty&比较容易自激。自己注意下了。我在一家小公司了，呵呵。&9205目前没用，看来选管子也是需要特别注意的&还有就是你说的Di&song&是哪位大侠啊，没听过啊[em13]ericmok Post at
9:46:11jupitorcuu&,非常感谢你的帮忙，这个东西如果没有先前的经验作为指导的话，光靠理论分析的确没法做的。呵呵。所以只能好好试验了[em10]ericmok Post at
9:47:04目前情况还是不太好，期待更多的分享[em03]RFchuxue Post at
12:57:03高人哪，学习学习FreeSL Post at
14:43:40楼主可是&在&NJ&ALU&？？xiaoshao Post at
17:55:42商用的芯片都是要考虑记忆效应的，特别是大功率放大的时候。记忆效应随功率大小不同而不同，也随采用的器件工艺的不同而有差别，一般都考虑的话，会使用训练的方式，对不同的输入功率和时间，进行数据采集和分析，得到被测功放的参数。流程还是很复杂的。当然，实际的芯片肯定是要考虑记忆效应的。不记忆的大家其实根本不同考虑，因为没有价值。ericmok Post at
0:18:17[QUOTE][B]以下是引用[i]FreeSL[/i]在&14:43:40的发言：[/B]楼主可是&在&NJ&ALU&？？[/QUOTE]小公司而已，呵呵ericmok Post at
0:20:24[QUOTE][B]以下是引用[i]xiaoshao[/i]在&17:55:42的发言：[/B]商用的芯片都是要考虑记忆效应的，特别是大功率放大的时候。记忆效应随功率大小不同而不同，也随采用的器件工艺的不同而有差别，一般都考虑的话，会使用训练的方式，对不同的输入功率和时间，进行数据采集和分析，得到被测功放的参数。流程还是很复杂的。当然，实际的芯片肯定是要考虑记忆效应的。不记忆的大家其实根本不同考虑，因为没有价值。[/QUOTE]楼上的意思是得到参数后，用&DPD去配合它吗？&能不能说的具体些，呵呵[em01]hnxhzws Post at
14:03:33现在好象比较常用的方法是在输出匹配用一高阻微带加大电容接地,用以减小包络的影响.版权所有：培训指南（）豫ICP备号-1Pa是一个较小的压强单位？这句话对不对？
不对！因为压强单位就两个：N/㎡
而且相等！
还有，压强单位不分大小！
你的回答完美的解决了我的问题，谢谢！
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帕就是一个单位
不对，pa只是压强的单位
你物理好吗？
什么意思。
因为我物理不是很好，所以想加个物理好的，然后可以多交流交流呢，我好人一个，并无恶意
还可以啦。愿意和你成为好友。
那你QQ多少？
要回答问题呢
不对，没有大小
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