您可能感兴趣的
&|&&|&&|&&|&&|&&|&
Copyright & 2003 -
All Rights Reserved 谷瀑环保设备网 版权所有 经营许可证：
邮箱： 服务热线：5,75503 客服：&
营运： 本网站法律顾问：浙江天杭律师事务所
张平安律师您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
场环结构晶闸管功率模块制造工艺研究.pdf40页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：300 &&
你可能关注的文档：
··········
··········
华中科技大学硕士学位论文
电力电予技术起始于五十年代末电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的
硅整流器件，其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了
电力电子技术在许多领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的以功率
MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的半导体复合器件，表明传
统电力电子技术已经进入了现代电力电子时代。二十一世纪，电力电子技术朝着大
容量、高频化、模块化及智能化的方向迅速发展，同时各种新技术、新材料和新工
艺不断运用于功率晶闸管模块的制造上，使功率晶闸管模块的封装技术不断向前推
进，随着集成电路的平面制造工艺在功率器件制造过程中广泛运用，带场保护环的
晶闸管制造技术在国外已经有了很大发展，并广泛的运用在功率晶闸管模块的制造
技术上来。现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电
力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。
本文通过对部分新材料和新工艺的介绍以及对晶闸管的工作原理和阻断特性分
析，特别是通过对传统的晶闸管 台面工艺 和带场保护环的晶闸管 平面工艺
的对比分析，对带场保护环的晶闸管进行一定介绍，同时介绍了带场保护环的晶闸
管的保护环结构优化设计，并提出了带场保护环的晶闸管及焊接键合模块的制造工
艺和工艺方法，还对几种工艺方法的进行比较，确定了功率模块工艺方向和以后实
际工作的注意事项。
关键词：晶闸管
华中科技大学硕士学位论文
正在加载中，请稍后...可控硅|IGBT|整流桥|模块系列|平板可控硅|晶闸管-昆山奇沃电子有限公司-网站首页
昆山奇沃电子有限公司 企业主要销售品牌
Infineon(英飞凌）、EUPEC(欧派克)、SanRex（三社）、IXYS(艾赛斯)、SEMIKRON(赛米控)、FUJI(富士)、三菱（MITSU...
友情链接：
&&版权所有：昆山奇沃电子有限公司
　　电话：9 &&&
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 地址：昆山市玉山镇前进东路233号　技术支持：&&& E-mail：　　}