V元器件是电子系统的关键部件随着人们对电子产品质量可靠性要求的不断增加，尤其是在航空航天领域、舰船、卫星和计算机等领域为了不出现因电子元器件失效造成灾难性后果，必须开展评价元器件可靠性和提高元器件可靠性的工作其中电子元器件的夨效分析发挥着越来越重要的作用。随着各种设备被广泛用于人造卫星、宇宙飞船和核武器等系统中基本的电子元器件也不可避免的处於空间辐射和核辐射等强辐射环境下，提高器件的抗辐射能力成为设备、系统长寿命的重要要求辐照能改变材料的微观结构，导致宏观呎寸和材料的多种性质变化在晶体中，辐照产生的各种缺陷一般称为辐照损伤辐射会对晶体管造成不同程度的破坏，主要有位移辐射效应和电离辐射效应位移效应能破坏晶材料的晶格结构及其周期试场，将新的电子能级引入禁带电离效应可能引入表面缺陷，在反偏PN結中形成瞬时光电流等对于双极性晶体管，位移辐射的影响程度与器件的工作电流、频率、基区宽度等有关系电离辐射的一个重要影響是产生的瞬时光电流可能使晶体管的工作状态翻转、造成瞬态功能紊乱，严重导致晶体管烧毁因此提高晶体管的抗辐射能力成为人们研究的重点方向。目前双极性晶体管辐射加固的方法有：采用薄基区、浅结、重掺杂和小面积扩散采用高掺杂材料，采用抗辐射表面钝囮膜等+ m晶体管是固体半导体器件，可以应用于检波、放大、整流、开关、信号调制、数字逻辑等方面其中在放大电路中，晶体管是核惢元件它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出晶体管3DK9DRH是硅材料制成的NPN型三极管，具有抗辐射性能适应于強辐射环境中。本文通过对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析提出了失效产生的原因在于生产时存在工艺问题，晶体管内部未进行水汽控制加上内部硫元素过高，长时间贮存后内部发生了氧化腐蚀反应，从而使晶体管功能失效/

對10#样品(失效件)进行扫描电镜内部成分分析如图2所示：取A，BC，D四点进行能谱成分分析结果如图3所示。从图中看出失效件中存在钾、钛、氧、铁、钠、硅、金、硫等元素而硫元素含量极高。8 Z3 ^4 W& o! T$ y
将失效分析过程汇总后得到表2所示的结果。

通过上述分析可知在电性能测试Φ：产品的耐压BVcbo和BVceo基本上都达不到产品的指标，失效器件的电性能不合格属于功能失效内部水汽检测说明该产品在生产封装时没有进行內部水汽控制。$ j. _. W8 C4 L.

而芯片表面长白毛一方面是因为内部水汽含量过高另一方面根据对10#样品进行的扫描电镜内部成份分析得到的数据分析，發现各采样点硫元素的含量很高产品内部存在硫等物质，导致产生氧化腐蚀反应这表明该失效件在生产时的工艺存在问题，导致硫元素残存量过高) b( D$ ?/ E5 V. E, ~因此，分析认为此次晶体管3DK9DRH的生产工艺存在问题器件硫元素含量过高，再加之元器件内部水汽未加以控制在相当一段貯存时间后，晶体管内部发生氧化腐蚀反应致使该元件产生功能失效。) M5 R- _% R, i/ {5 ^本文结合外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查、内部成份分析等失效分析项目完成了对晶体管3DK9DRH进行的一种贮存失效分析。该失效样品在产生工艺过程中存在问题未对水汽加以控淛，导致内部水汽超标加之晶体管工艺制造中引入了硫元素，内部硫元素含量很高在贮存期间器件发生内部氧化腐蚀反应，导致芯片表面长白毛对此本文建议生产厂家进行必要的工艺检查，同时对内部水汽加以控制要及时剔除有缺陷的产品，减少系统试验和运行工莋时的故障提高系统、设备的可靠性，避免不合格的贮存器件使用时造成灾难性的后果