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哪里有GaN激光剥离设备代理商和牌子？
请问大家哪里有GaN或者AlN激光剥离设备代理商或者牌子啊？需要购买一台，有知道联系方式的告诉一下，谢谢大家
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我们公司有代理这方面的资源，您对剥离设备有什么预算或者其他的需求么？可联系邮箱
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是蓝宝石衬底上剥离GaN?
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衬底激光剥离技术（LLO）是20世纪末提出来的，利用紫外激光照射衬底， 熔化缓冲层而实现沉底的剥离，另外新衬底一般采用直接键和的方法。
基于87个网页-
Laser Lift Off
LED芯片技术的发展 板，InGaN/GaN LED常采用Si基板。键合机的重要性能指标是温度、压力的均匀性。
（5）激光剥离技术（Laser Lift Off, LLO）
近几年来，蓝宝石GaN LED的光效有了很大的提升，但由于蓝宝石GaN结构和蓝宝石导热的局限性
基于6个网页-
制备金属光子晶体方法包括：电子束刻蚀结合后续剥离法、激光干涉光刻结合干刻蚀技术等。
The fabrication methods of MPC include electron beam lithography with subsequent evaporation and lift-off, interference lithography with dry-etching technology etc.
$firstVoiceSent
- 来自原声例句
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中镓半导体：专注衬底生长，走向分工专业化
来源：高工LED
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“我坚信同质外延将成为未来的主流，在这之前，公司将以蓝宝石图形化衬底导入市场，目前公司的产品包括GaN衬底、GaN／Al2O3复合衬底、蓝宝石图形化衬底、激光剥离设备”中镓半导体总经理张国义坚信专注引领未来的GaN衬底材料市场。
中镓半导体是国内首家专业以研发、生产氮化镓(GaN)衬底材料的企业，&我坚信同质外延将成为未来的主流，在这之前，公司将以蓝宝石图形化衬底导入市场，目前公司的产品包括GaN衬底、GaN/Al2O3复合衬底、蓝宝石图形化衬底、激光剥离设备，同时我们也在研发新型的GaN衬底材料。&中镓半导体总经理张国义介绍，公司定位于专业的衬底制备企业，坚信专注引领未来的GaN衬底材料市场。
何为同质化外延？为何它将主导未来市场？蓝宝石图形化衬底价格走势如何？带着一系列疑问，高工LED记者走进中镓半导体，与张国义博士进行深入探讨。
同质外延将成为主流
高工LED：中镓半导体是专业生产衬底的公司，所生产的衬底产品包括GaN衬底、GaN/Al2O3复合衬底、图形化蓝宝石衬底，公司是如何确定的技术路线？您如何看待各种衬底产品未来的发展？
张国义：外延包括同质外延和异质外延，同质外延是指在同一种衬底材料生上长同一种外延层，比如硅衬底生长硅、GaN衬底外延生长GaN；而用蓝宝石衬底或者其他衬底生长GaN就是异质外延。现在大家普遍采用的技术是用蓝宝石、碳化硅等衬底生长GaN外延。但从原理来说，最好的技术是同质外延，即用GaN衬底生长GaN外延。目前GaN衬底的主要问题是成本太高，而且镓资源比较有限。
建立中镓半导体是基于对未来发展趋势的考量，我们希望走向同质外延，走向GaN/Al2O3复合衬底。复合衬底表面是GaN，下面是蓝宝石，这样的结构跟GaN衬底生长GaN外延是一样的。复合衬底既减少了镓的用量，又可以满足同质外延的生长要求，我给它起名叫广义的同质外延。
高工LED：在产品的推广上，公司如何布局？
张国义：虽然我们拥有GaN衬底、复合衬底技术，但目前使用客户较少，市场还不够成熟。2012年复合衬底是培育期，还做不到大力推广，技术的转变还需要过渡期。目前市场的趋势是蓝宝石图形化衬底，图形化衬底的发光效率较普通衬底可提高20%-30%，而且可提高内量子效率，改进晶体质量。所以复合衬底成为主流之前，一定是图形衬底(PSS衬底)。我们将蓝宝石图形衬底作为近期作为进入市场的产品。
我们还有一个产品&激光剥离设备，要推广复合衬底，需要将GaN和蓝宝石剥离，蓝宝石重复使用(2-5次)转移到其他衬底，要使用激光剥离设备。国际上激光剥离设备两大类，气体激光器和固体激光器，现在做固体激光器现在只有我们在做，气体激光器的稳定性、效率、损伤等很多方面都不如固体激光器。未来的发展肯定是固体激光器。
高工LED：您讲到未来的发展主流是GaN衬底，但目前使用最多的还是蓝宝石衬底。而且客户有使用习惯，要他改变生产的习惯，还需要时间的过渡。蓝宝石衬底的价格也在不停的下降，GaN衬底要成为市场主流，还需要多长的市场培育期？
张国义：单从衬底角度来讲，复合衬底的成本肯定比蓝宝石衬底高，但复合衬底的优势是显著的。首先，复合衬底可增加产能，蓝宝石生长LED外延结构的过程需要七个小时，复合衬底可大大简化生产工艺，只需不到三个小时，产能可增加一倍。同时也可节省MO源等气体材料。
第二，采用复合衬底，可以制备上下电极结构，不需要刻蚀出n-电极结构，可以有效总结LED的发光区，减少制备工艺过程，增加量产。
第三，LED存在这样一个现象，增加电流LED发光，很快到达一个顶峰，再增加电流，效率就降下来了。蓝宝石衬底的热导率低，热量散不出来，效率肯定会下降。复合衬底可以制备上下电极结构LED，可以采用热导率高的金属衬底材料，电流分布非常均匀，整个发光效率可再提高。
所有这些计算下来，复合衬底的成本反而比用蓝宝石衬底低30%，这不是我自己的看法，国际上早有这样的路线图。2010年是异质外延向同质外延转移的元年。2010年确实出现过这样的苗头，但上升的速度还不够快，还要有一个阶段。依赖于GaN衬底复合衬底技术的发展和客户的技术的提升，配合起来以后未来的趋势肯定是复合衬底。
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&2010 GG-LED.com 高工LED-领先的产业研究与传媒机构&&柔性OLED LLO设备面临挑战？日本LAN Tech开发出室温下非激光剥离设备
日本LANTechnical Service公司宣布，已经开发出作为替代柔性OLED工艺的主要设备之一的LLO（激光剥离）设备的“非激光剥离”设备。因为用于LLO设备的激光源非常昂贵，预计这种新设备的投入使用将大大降低柔性OLED的投资成本。
LANTechnical Service最近开发了非激光剥离设备，并将这项技术引入到韩国和其他外国面板制造商，这些制造商正在生产柔性OLED面板或即将生产柔性OLED面板。
使用LAN Tech的非激光剥离设备从载玻片分离聚酰亚胺薄膜的图片。（图片来源： LAN Tech）
柔性OLED面板使用聚酰亚胺（PI）基材。薄膜型基材是通过将PI树脂涂布在载体玻璃上并通过PI固化设备施加高温来制备形成的。然后通过在该薄膜基底的顶部，蒸镀上RGB（红，绿，蓝）像素，通过前端处理（例如，防止空气和湿气的封装处理）以及用LLO设备照射激光来分离载体玻璃和PI膜。
柔性OLED面板激光剥离工艺原理示意图
如果使用非激光剥离设备，则不再需要通过向PI树脂施加高温来制造PI膜的固化工艺。面板制造商不必制造他们自己的PI薄膜基材，而只需从外部的薄膜制造商购得即可。
如果使用非激光剥离设备代替使用准分子激光器或DPSS（二极管泵浦固态）作为激光源的LLO设备，可以降低生产成本，因为它不再需要从外面进口激光光源。
视频：LAN Tech室温情况下非激光剥离方式技术原理
LANTechnical Service也考虑在载玻片上贴上PI薄膜，而不使用单独的有机粘合剂。它采用了其专利技术，通过在载玻片上施加硅，并在高真空状态下使用离子束将PI膜贴附在载体玻璃上。通过这样做，可以调节粘合强度，并且可以在室温下将PI膜从载体玻璃上分离。
LANTechnical Service投入了大约10年的时间来开发利用硅的技术。尽管正在计划开发替代刚性OLED基板玻璃的技术，但由于柔性OLED市场的大幅增长，该公司已经改变了计划，并决定用它来取代LLO设备。而据CINNOResearch统计，2017年至2021年，柔性OLED面板产能的复合年均增长率超过52%。
全球AMOLED产能扩张趋势
LANTechnical Service成立于1985年，一直致力于提供各种液晶设备，包括PMOLED的封装设备。
该公司表示：“我们通过与全球两三家主要的材料制造商合作，使用PI薄膜进行了性能测试。 “我们正在向全球面板制造商通报我们的技术能力和稳定性，因为这是一种以前没有的新技术。”
视频：LAN Tech剥离方式实例
最近韩国和国外的产业链和大学等研究了将新的激光源应用于LLO设备或不使用激光的技术。
“虽然目前还没有达到商业化水平，但研发部门在简化LLO工艺方面非常积极，例如进口激光光源，并从中长期角度减少维护激光光源的成本和时间。”
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