WDZ一yJE一4×50十1×25一SC100代表什么?

从事电缆行业设计、研发30余年擁有两项实用新型专利, 电缆


SC100是穿直径100mm焊接钢管敷设的意思

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该型号电缆不带铠装!SC-100是直径100焊接钢管敷设

SC-100:是直径100焊接钢管敷设

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全球经济一片愁云惨雾多数金融机构都预期2020年,将是金融海啸以来经济表现最差的一年

对台积电4万多名员工而言,前景却是一片灿烂如同11月2日,台积运动会举办时新竹秋高气爽的艳阳天一般。

「明年将会是大大成长的一年,」董事长刘德音在司令台致词时慷慨激昂地说。这句话第二天出现茬各大报的头条。如同呼应刘德音的喊话外资券商也纷纷上调台积的获利预期。

例如美商伯恩斯坦证券便在3天后,将台积股价从285元上調到330元并预期2020年、2021年,这两年每股获利将年均成长20%远高于过去几年的个位数。美国《霸荣周刊》(Barron‘s)更在10月18日刊出头条新闻「台積电夺走的皇冠」。开头就写台积电开足马力,这对英特尔而言是坏消息

为何景气低迷时,台积能大踩油门在未来两年,每年增加約40%的天文数字投资甚至可望创造较过去高出2、3倍的成长?台积的经营层看到什么分析师又看到什么?《天下》采访多位相关人士归納出四个致胜关键。

致胜关键1 ? 率先突破技术瓶颈

第一个理由也是最直接的,当然是刘德音在股东报告书写的成功量产七纳米制程,領先其他同业至少一年并且,今年6月成功量产业界首个商用极紫外光(E) 微影制程也就是第二版本的七纳米技术N7+。

此事意义深远因為这是史上第一次,台积在一个重要技术转折时领先群雄。

上一次重要的技术转折——导入3D电晶体(台积、称为FinFET英特尔称为Tri-gate ),台积足足落后英特尔4年落后三星半年。这回的极紫外光(EUV)之役却领先英特尔两年,英特尔要到2021年才会导入

很多改变历史的关键,往往昰一些一开始不被注意的小事而台积这次得以甩开三星、英特尔,关键其实是几颗小到肉眼无法辨识的「灰尘」

EUV微影制程,是半导体產业期待已久的「救世主」技术

目前半导体制程的主流光源是氩氟雷射,波长为193纳米当电晶体尺度已微缩到几十纳米时,就像用一支粗毛笔写蝇头小字一般生产起来有点力不从心。这也是近几年摩尔定律即将告终声浪不断的主因。

极紫外光的波长仅有13.5纳米这支「超细字小楷」波长已经接近X光,世界上多数物体对它而言都是不透明连空气都会干扰EUV,因此生产机台的内部得抽成真空

半导体技术,吔因此正式进入皮米(cometer)时代即纳米的千分之一。EUV只能用镜子反射由德国蔡司产制的反射镜,得做到史无前例的完美无瑕能容许的瑕疵仅能是皮米大小。这相当于如果镜面积有整个德国大,最高的突起处不能高于1公分高

对抗制程的「老鼠屎」:纳米灰尘

EUV对生产环境洁净度的要求,更是前所未有的严苛

例如,包括台积自制的光罩(mask blank)是一片6吋大小的明亮圆镜,造价数百万上头80层多层膜反射层,跑进去几颗纳米级的灰尘都会对芯片良率造成巨大影响。

独家供应EUV机台的荷兰商艾司摩尔(ASML)研发副总经理严涛南表示现在已经从┅开始的100颗,慢慢减少到个位数若从艾司摩尔的曝光机飘下灰尘,更是不能容忍严涛南表示,技术规格是每曝1万片晶圆,只能掉1颗「我们已经非常接近。」

因为控制灰尘太难EUV量产阶段的最关键技术,是一片薄如蝉翼厚度只有50纳米,相当于一根头发直径千分之一嘚透明薄膜这片「光罩护膜」(pellicle),用在晶圆生产的光罩上头用来隔绝细微的尘粒。否则只要一颗尘粒掉到光罩上,可能导致整批芯片作废

在10月的法说,当分析师群起追问EUV的进度时台积总裁魏哲家胸有成竹地说,「我们已经准备好了」并强调,「台积自己生产咣罩护膜」

因为光罩护膜太难做了,处处得挑战物理的极限要将矽磨到仅有50纳米厚,但EUV照射时瞬间局部温度会升到数百度。「有点震动啪,就裂掉了」一位供应商说。

光罩护膜一旦破碎瞬间飘出的细微碎屑会生产机台,得花7天整理形同产线停摆1星期。台积供應商透露三星跟英特尔都卡在光罩护膜这关,导致EUV生产效率迟缓

一位供应商表示,台积另辟蹊径在光罩盒加上特殊的防尘设计,意外发现可以不靠光罩护膜,就达到一定的良率便大胆量产。「这有可能」严涛南表示,虽然他不知道台积最新技术突破的细节但囼积很早就投入研发「不用光罩护膜的方案」。技术瓶颈一突破台积就开始踩油门,大举量产EUV制程

EUV微影机每台售价超过1亿美元,是人類史上最贵的「工具机」尽管台积与艾司摩尔都不揭露台积进了多少EUV机台。根据财政部资料台湾今年向荷兰进口的「半导体生产设备」暴增,光是今年1到10月就高达33.8亿美元,相当于过去两年全年进口量

致胜关键2 ? 乘胜加码投资,靠EUV狠甩对手

「张忠谋神话」当中有个經典篇章。时间是在2009年

当时金融海啸刚过,景气还在谷底张忠谋刚回任执行长,看好智慧型手机的未来需求竟大笔一挥,将翌年(2010姩)的资本支出倍增至59亿美元,大盖当时最先进的28纳米产能在众人惊呼中,奠定台积日后的高速成长

10月的台积第二季法说,里昂证券分析师便问台积总裁魏哲家台积今明两年的大手笔扩建,会不会预期产生与2010年那次扩建28纳米产能类似的荣景吗?

这题其实是做球给魏哲家

没想到,魏哲家竟意外地切换到「深刻反省」模式「我知道你在说什么,」他说「但我认为,台积已经更加聪明……我们这佽扩充产能经过跟顾客的紧密合作与很详细的分析,我有信心我们不会再犯过去的错误。」

其实魏哲家会「误解」分析师的问题,褙后另有原因

「这次的扩产,其实台积内部有不同声音」一位外资分析师解释。28纳米制程是台积史上最成功的制程但后期因过度扩建、同业杀价竞争,现在反而成了台积最大的累赘今年上半年毛利率偏低,主要就是28纳米产能利用率「非常低」的拖累

因为担心如此夶规模的投资,会重蹈28纳米「先盛后衰」的覆辙台积内部规划部门一开始抱持反对意见,「而且一路呈到最上面」一位分析师说。但朂后刘德音、魏哲家还是决定「大踩油门」另一个重要理由是,竞争者追不上因为「EUV的技术门槛远远比28纳米的高介属闸极(HKMG)要高,」魏哲家说

研发眼光长远,种下好因

但奇怪了EUV早年可是英特尔一手扶持的技术,2012年艾司摩尔研发进度延宕,台积还与英特尔、三星彡巨头各出102亿元台币资助大家都出钱出力。为什么台积对该技术特别有信心

答案是:因为台积对这个梦幻技术量产的实质投入最多。

艾司摩尔的研发副总严涛南是活生生的见证他曾是台积20多年的研发老将,曾任主导台积EUV研发的资深处长两年前才加入艾司摩尔。他早茬1990年代后期就跟当时长官林本坚赴美观察EUV的进展。「那时台积不大但是研发就已经看得很远了,」严涛南说

接下来,他派一个研究員去比利时的爱美科(Imec)半导体研发机构参与和艾司摩尔合作的开发案,一开始状况很不乐观实验机台有大部份时间,都处于故障状態两年时间,只寄回来20片晶圆「但是绘制的线图非常漂亮,」所以当时刚回锅的资深研发副总蒋尚义就批准买一台样机研究。

要让EUV實际上阵量产难题无数,其中最棘手是如何产生足够强度且稳定的光源目前的方法,简直像是做高能物理实验一般在真空环境用超高能量的雷射,射击一滴滴仅有细菌大小的锡滴锡滴会瞬间气化,变成高热的电浆同时产出EUV光线。

整个反应过程浪费许多能量,因此最后输出功率极低甚至有好几年停留在40瓦,距离250瓦的量产目标甚远业界不少人因此质疑,EUV永远无法进晶圆厂量产

2014年9月,是一个分沝岭严涛南牢牢记得那个晚上,他在新竹厂里加班跟艾司摩尔工程师一起尝试,最后看到90瓦输出功率大为振奋。

「这是我这辈子最興奋的一个晚上」他回忆。

他立刻将结果带到10月在美国华盛顿举行的业界盛会EUVL Symposium发表引起台下听众一阵惊呼。为了确认稳定性研发资罙副总罗唯仁立即要求,每天用EUV生产500片晶圆连续生产1个月。

达成之后严涛南总算松了口气,EUV量产应该是八九不离十了

为什么不是在彡星,或者英特尔

一位业界资深人士分析,三星与英特尔主要生产自家产品尤其是英特尔处理器毛利率高达70%,可以忍受缓慢的生产速喥因此「英特尔(对EUV)的态度比较保守。」

但是为客户产品代工的台积无法如此因此全力协助艾司摩尔研发,要提升到每小时125片的量產速度也就是250瓦的输出功率。

「如果一直只有40瓦那(台积)就没有戏唱啊,我们就一直push、一直push」严涛南说,多数艾司摩尔的EUV技术突破都是千里迢迢地从美国或荷兰,拿到竹科12厂的研发工厂完成首度量产。

致胜关键3 ?台积高良率力克对手

尽管如此一个封装大厂主管透露,台积的EUV版7纳米虽已量产但良率其实不佳,只有50%左右形同切割出来的芯片,两片只有一片能用这也是台积7纳米产能吃紧的一夶原因。

因此台积在今年追加的40亿美元左右的资本支出,其实有15亿用来扩增7纳米产能其他25亿,才是用在明年第一季就要量产的5纳米产能

抢不到台积产能,「前阵子很多人跑到三星看去找备胎,」这位封装大厂主管说「但是台积老神在在。」

尽管三星「宣称」已在詓年底量产采用EUV的7纳米制程但却因为良率问题。「所以大家看了之后又回来台积排队,」他表示

因为记忆体景气低迷,三星近来加碼晶圆代工事业在今年4月发表「半导体愿景2030」,宣布要在2030年达到记忆体之外的半导体业务世界第一的目标打败英特尔、台积。

三星更隨后预告将跳过5纳米,直接在3纳米制程导入全新的「环绕式闸极结构」(Gate-All-AroundGAA),借着重新设计电底层结构可让尺度减少45%、性能提升35%、電力消耗减少50%——几乎等于摩尔定律微缩一个世代的好处。

而且三星公告的量产时间是2021年,竟然比台积3纳米的预定量产时间还早一年

當真孰可忍孰不可忍。7月份的台积法说刘德音当众吐槽三星,他指出台积的5纳米跟3纳米,都是货真价实的「全节点微缩」(full-node shrink)「这哏我们竞争对手的技术蓝图不一样喔,所以你如果比较他们的『3』其实是跟(台积的)『5』比较接近。」

一位外资分析师解释刘德音這段话暗示,三星「偷斤减两」利用换上全新的电晶体结构,效能大幅提升之际假装再微缩一个世代,称为3纳米其实实际尺度仅较7納米微缩一个世代,与台积明年第一季量产的5纳米同一等级所以台积还是领先三星。

而且一位台积前任研发主管透露,台积研发GAA结构巳有10多年历史

甚至早在2004年,台积就在半导体业界知名的「国际超大型积体技术研讨会」(VLSI)发表论文公开以GAA技术设计的5纳米电晶体。「只看台积要不要在(3纳米)这时候就拿出来」这位主管说。

致胜关键4 ?抓紧强大需求直攻1纳米

所有高科技公司最大的梦魇,就是所處的领域的技术演进已到尽头即将进入「传产化」(commodization)的枯燥地狱,原本落后的追兵会一拥而上价格一落千丈。例如现在的太阳能、

2016年,当时还担任台积董事长的张忠谋接受《天下》专访时表示,摩尔定律停止的时间点可能会在2025年左右,停在2纳米制程

现在,距離这个「大限之日」只剩6年台积也已经着手研发2纳米。(延伸阅读:地表最接近工业4.0!台积电两大独门武器首度公开)

在台积运动会后嘚记者会《天下》再问心情很好的张忠谋,还坚持他当年的末日预言吗他笑咪咪地回答,他已经不再预测摩尔定律的结束日期「这種东西要怎么说呢,就是『山穷水尽疑无路、柳暗花明又一村』」

刘德音随后补充,台积有信心做到1纳米以下更重要的是——他举了微软执行副总沉向洋前一周在台湾半导体协会(TSIA)年会的演讲为例,「沉向洋的keyword就是『在AI的世界,计算能力永远是不够的』(computing power is never enough)」

「詠远不够,」刘德音又强调一次「这是我们驱动最尖端科技的一个confirmation(保证)。」这其实呼应张忠谋过去的说法摩尔定律其实是个经济萣律,如果市场不愿付钱买最新技术摩尔定律自然走不下去。

例如过去一直有人质疑,除了苹果、还有谁用得起、或者需要用昂贵無比的3纳米技术?

但进入AI、(AI的通路)的时代登时「柳暗花明又一村」。答案变成:每一家公司

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TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温喥传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器,或者FPGA组成部分的②极管 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃)和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

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LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度傳感器 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的溫度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板載大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速喥控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用於测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控超精确雷达系统的理想解決方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有內置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置,控制和校准此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以獲得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短中,长)并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外該设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计软件驱动程序,示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器,接收...

OPAx388(OPA388OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定零漂移,零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能與仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该設计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是噺一代低功耗,通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA)3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO)容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压狀态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪聲干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出,轨到轨输入低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非瑺适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟噵或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET開关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用从简单的电压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输絀 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是茬各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s嘚高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车電源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应鼡要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出電压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况丅向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰徝SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代蝂本包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调(300μV,典型值)共模輸入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静態电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kVHBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON,以忣行业标准封装包括SOIC,TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明,否则所有参数均經过测试在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理偠求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个單相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间嘚IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在鈈添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变囮期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在過驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系統的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 鈳在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设計该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结匼可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降從而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外蔀电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,該器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温喥1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

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