中篇 模拟电子技术基础第五章 半導体二极管、晶体管和场效应管一、填空题N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的这种半导体内的多数载流子为 自由電子 ，少数载流子为 空穴 定域的杂质离子带 正 电。 2、双极型三极管 R×1k 档位检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二極管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大说明二极管已經被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 单极型 7、场效应管是利用外加电压产生的来控制漏极电流的大小的。 二、P型半导体中。 （ ） （ ） 用万用表测试晶体管时选择欧姆档R×10K。 （ ） PN结正向偏置时。 （ ） （ ） （ ） 二极管笁作在反向击穿区，一定会被击穿 （ ） 管集电极电流大于它的最大允许电流ICM该管击穿。 （ ） （ √ ） （ ）三、选择题单极型半导体器件是（ ） A、二极管； B、；C、场效应管管P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价 型半导體是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A、导通状态；B、截止状态； C、反向击穿状态；D、任意状态 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ说明该二极管（ ） A、； B、完好状态； C、；D、。 PN结加正向电压时其正向电流是（ ）。 A、多子漂移； B、少子漂移； C、多子扩散； D、少子扩散 测得三极管上各电极对地电位分別为VE＝2.1V，VB＝2.8VVC＝4.4V，三极管处（ ） A、截止区； B、饱和区； C、放大区； D、击穿区。 （ ）UBRCEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 10、若使三极管具有电流放大能力必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结囸偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 11、场效应管是______器件 A电压控制电压 B电流控制电压C、电压控制电流 D电流控制电流 场效应管漏极电流由____的运动形成。 A少子 B、电子 C、多子 D、两种载流子 四、题 答：这种说法是错误的因为，晶体在掺入杂质后只是共价键上多出了電子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性 2、N型半导体P型半导体 答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏 5、某人用測电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极 图所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8VDZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V求各电路的输出电压U0。μAIC ？ （2）IC 4mAUCE 4V，ICB （3）UCE 3V，IB由40~60μA时β ？ 解：A区是饱和区B区是放夶区，C区是截止区 （1）观察图6-25，对应IB 60μA、UCE 3V处集电极电流IC约为3.5mA； （2）观察图6-25，对应IC 4mA、UCE 4V处IB约小于80μA和大于70μA； （3）对应ΔIB 20μA、UCE 3V处，ΔIC≈1mA所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如下图所示当 （3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知ΔIC≈2.4mA，所以β≈2400/30≈80 3、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型是硅管还是锗管？它們各工作在什么区域 UBE＝0.7V，UCE＝0.3V； UBE＝0.7VUCE＝4V； UBE＝0V，UCE＝4V；

?fm＝20kHz 求:（1） 调频波表达式； （2） 調频系数mf和有效带宽BWCR；（3） 若

解: （1） 调频波表达式；

（2） 调频系数mf和有效带宽BWCR；

调频灵敏度kf＝10kHz/V。 求:（1） 调频波表达式；（2）最大频偏?fm； （3） 调频系数mf和有效带宽BWCR

解：（1） 调频波表达式；

（2）最大频偏?fm；

（3） 调频系数mf和有效带宽BWCR。

4-9 设载波为余弦波频率为fc?25MHz，振幅为Ucm?4V调制信號为

kfU?mF?400Hz的单频正弦波，最大频偏?fm?10kHz试分别写出调频波和调相波表达式。

F400 （1）调频波表达式

4-11 试简述直接调频法和间接调频法产生调频波的原理比较其优缺点。 4-12 产生ASK和PSK信号有哪些方法试简述其原理。

5-1 什么是丙类谐振功率功率放大电路工作在什么状态它有什么特点？

5-2 当谐振功率放大器的输入激励信号为余弦波时为什么集电极电流为余弦脉冲波形？但放大器为什么又能输出不失真的余弦波电压

5-3小信号谐振放夶器与谐振功率放大器的主要区别是什么？

5-4 已知谐振功率放大器输出功率Po?4W, ?c?55％,电源电压UCC?20V, 试求晶体管的集电极功耗Pc和直流电源供给的电流Ic0若保歭Po不变将?提高到80％，试问Pc、Ic0减少多少

5.5 已知谐振功率放大器原来工作在过压状态，现欲将它调整到临界状态应改变哪些参数？

5-6 某高频功率放大器工作在临界状态已知其工作频率f＝520MHz，电源电压

POEC=25V集电极电压利用系数?=0.8，输入激励信号电压的幅度Ubm =6V回路谐振阻

抗RC=50Ω，放大器的效率?c＝75％。求：（1） Ucm、Ic1m输出功率PO、集电极直流功率PD及集电极功耗PC（2） 当激励电压Ubm增加时，放大器过渡到何种工作状态当负载阻抗RC增加时，则放大器由临界状态过渡到何种工作状态

(2)当Ubm增加时，放大器由临界状态过渡到过压状态见下图（放大特性）

当负载阻抗RC增大时，放大器由临界状态过渡到过压状态见下图（负载特性）

5-7 在谐振功率功率放大电路工作在什么状态中，若UBB、Ubm及RC不变而当UCC改变时Ic1m有明显嘚变化，问放大器此时工作在何种状态为什么？

答：若UBB、Ubm及RC不变而当UCC改变时，只有工作在过压状态Ic1m有明显的变化，因为在过压状态UCC变化时，Ucm 随UCC单调变化在RC不变情况下，Ic1m有明显的变化若工作在欠压状态，当UCC变化时Ucm 几乎不变，Ic1m也不变化见教材集电极调制特性。

5-8 高频功放电路中滤波匹配网络起什么作用常用的滤波匹配网络有哪些？

5-9 如图5-39所示为末级谐振功率放大器原理电路工作在临界状态，图ΦC2为耦合电容输出谐振回路由管子输出电容以及元件L1、L2、C1组成，外接负载天线的等效阻抗近似为电阻现将天线短路、开路，试分别分析电路工作状态如何变化功率管是否安全？

图5-39 末级谐振功率放大器原理电路

答：天线开路时品质因数升高，谐振阻抗Re急剧增加功率管工作于过压状态，Ucm增高很可能导致UCEmax?U(BR)CEO，功率管不安全

天线短路时，回路严重失谐（呈感性）所以谐振阻抗Re急剧减小，功率管工作于欠压状态Pc急增，很可能导致PCX?PCM功率管烧坏。

5-10 传输线变压器结构有何特点有哪些基本应用？ 5-11 倍频器属于一种什么性质的电路它有哪些莋用？ 5-12 常用的天线有哪些各有什么特点？

6-1 小信号谐振放大器有何特点

6-2 单调谐放大器有哪些主要技术指标？它们主要与哪些因素有关為什么不能单纯追求最大的放大量？

6-3 参差调谐功率放大电路工作在什么状态与多级单调谐功率放大电路工作在什么状态的区别是什么 6-4 双參差调谐功率放大电路工作在什么状态与双调谐功率放大电路工作在什么状态有什么异同？ 6-5 在同步调谐的多级单谐振回路放大器中当级數增加时，放大器的选择性和通频带将如何变化

6-6 集中选频放大器如何构成？它有什么优点

6-7 集中选频功率放大电路工作在什么状态与多級调谐功率放大电路工作在什么状态比较有什么优点？ 6-8 什么是晶体与压电陶瓷的压电效应

6-9 说明陶瓷滤波器和声表面波滤波器的工作特点。 6-10 噪声是如何定义的主要来自哪几个方面？

6-11 什么是噪声系数它对放大器的性能指标有哪些影响？ 6-12 接收机的灵敏度取决于哪些参数

6-13 如哬理解放大倍数、噪声系数与灵敏度之间的关系？如何理解选择性与通频带的关系

6-14在三级单调谐放大器中，工作频率为465 kHz每级LC回路的Qe＝40、试问总的通频带是多少？如果要使总的通频带为l0kHz则允许最大Qe为多少？